【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路领域，尤其涉及一种研磨液防溅装置、化学机械研磨系统及化学机械抛光方法。
技术介绍
1、近年来，随着集成电路技术的快速发展，芯片制造所采用的三维互连封装技术要求硅晶圆与沉积膜层表面具有极高的平整度。在各种表面加工工艺中，化学机械研磨(chemical mechanical polish, cmp)工艺是实现晶圆表面全局平坦化的最有效的技术手段。cmp是在化学和机械的协同作用下实现对表面材料的全局去除，即利用研磨液中添加的化学药剂优先软化或腐蚀表面材料，并依靠机械摩擦力将表层软化材料磨除。
2、采用化学机械研磨技术对晶圆表面进行平坦化过程中，由于研磨头和研磨台等部件旋转产生的离心力，会使研磨液和研磨副产物沿着研磨垫表面甩出。此类研磨液多为酸性或碱性的，其任意地飞溅不仅会造成研磨腔室的沾污还会对金属部件造成腐蚀，影响到机台使用寿命。除此之外，飞溅的研磨液在风干后会在附着处析出大量结晶物，此类结晶物不仅会成为研磨腔室的颗粒污染源还会阻碍机台部件的平稳运行，导致产品的良率降低。现有技术中，通过在研磨台外侧设置防溅...
【技术保护点】
1.一种研磨液防溅装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的研磨液防溅装置，其特征在于，所述研磨台的边缘设置至少一个清洗部件包括所述研磨台的侧壁、上表面的边缘或下表面的边缘中的至少一处设置所述至少一个清洗部件。
3.如权利要求1所述的研磨液防溅装置，其特征在于，所述研磨台的边缘设置至少一个清洗部件为所述研磨台的侧壁设置所述至少一个清洗部件。
4.如权利要求3所述的研磨液防溅装置，其特征在于，所述至少一个清洗部件等间隔地设置于所述研磨台的侧壁。
5.如权利要求3所述的研磨液防溅装置，其特征在于，所述至少一个清洗部件与...
【技术特征摘要】
1.一种研磨液防溅装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的研磨液防溅装置，其特征在于，所述研磨台的边缘设置至少一个清洗部件包括所述研磨台的侧壁、上表面的边缘或下表面的边缘中的至少一处设置所述至少一个清洗部件。
3.如权利要求1所述的研磨液防溅装置，其特征在于，所述研磨台的边缘设置至少一个清洗部件为所述研磨台的侧壁设置所述至少一个清洗部件。
4.如权利要求3所述的研磨液防溅装置，其特征在于，所述至少一个清洗部件等间隔地设置于所述研磨台的侧壁。
5.如权利要求3所述的研磨液防溅装置，其特征在于，所述至少一个清洗部件与所述研磨台为可拆卸连接。
6.如权利要求5所述的研磨液防溅装置，其特征在于，所述防溅挡板至少一处存在缺口，用于实现所述至少一个清洗部件的固定或更换，或者研磨垫修整器的移入与移出研磨台区域。
7.如权利要求5所述的研磨液防溅装置，其特征在于，所述清洗部件包括适于与所述研磨台固定的固定部和设置于所述固定部表面的清洁部。
8.如权利要求7所述的研磨液防溅装置，其特征在于，所述清洁部为多个分散排布的凸起结构；所述凸起结构的形状包括锥形、圆柱形、圆锥形、波浪形或立方形。
9.如权利要求7所述的研磨液防溅装置，其特征在于，所述清洁部包括具有柔性...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄耀东，宋锴星，陈锟，赵立新，
申请(专利权)人：格科半导体上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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