【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及图像传感器领域，尤其涉及一种背照式图像传感器的形成方法。
技术介绍
1、在图像传感器中，随着像素单元尺寸逐渐缩小，相邻像素之间的光学串扰现象逐渐变严重，因此针对像素间的隔离技术至关重要，常见的隔离结构主要通过先在硅衬底上刻蚀出深沟槽，随后再填充电介质层以及多晶硅，在晶圆键合后减薄晶圆背面并完全暴露隔离结构，最终实现像素间的隔离；然而，在针对隔离结构的晶背减薄过程中，因隔离结构中的介质层与单晶硅衬底材质的差异，会在研磨过程中呈现出不同的研磨速率（常见的，介质层的研磨速率<单晶硅或多晶硅的研磨率），进而导致最终的研磨界面形成了高度差，不同区域的硅衬底高度不一致，影响了图像传感器的感光性能。
技术实现思路
1、基于上述问题，本专利技术提出了一种背照式图像传感器的形成方法，包括：将图像传感器晶圆正面和承载晶圆键合；所述图像传感器晶圆正面形成有沟槽隔离结构；对所述图像传感器晶圆背面通过以下至少一种减薄工艺，以提高所述图像传感器晶圆背面的平整度；所述至少一种减薄工艺包括：工艺一：通...
【技术保护点】
1.一种背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述工艺一进一步包括：
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述图像传感器晶圆正面的沟槽隔离结构的形成方法包括：
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述介质层包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的至少一种。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，通过使用氢氟酸或磷酸中的至少一种去除所述沟槽隔离结构中的部分介质层，形成所述浅沟槽。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述图像传感器晶圆正面形成有金属互联结构
7....
【技术特征摘要】
1.一种背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述工艺一进一步包括：
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述图像传感器晶圆正面的沟槽隔离结构的形成方法包括：
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述介质层包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的至少一种。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，通过使用...
【专利技术属性】
技术研发人员：曾甜，邹文，郭存亚，
申请(专利权)人：格科半导体上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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