一种倒装微型发光二极管的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种倒装微型发光二极管的制备方法，包括如下步骤：提供一衬底，并在所述衬底上制备外延层；其中，所述外延层包括层叠设置的第一n型半导体层、发光层、p型半导体层和导电层；对所述外延层进行刻蚀，以形成第二n型半导体层以及多个间隔设置的主体结构；所述第二n型半导体层为所述第一n型半导体层经刻蚀后除去所述n型半导体结构的剩余部分；去除所述衬底；对所述第二n型半导体层进行多次刻蚀处理得到出光面结构，以制备出微型发光二极管；所述出光面结构包括斜面结构，所述斜面结构包括沿所述n型半导体结构的边缘至所述n型半导体结构的中心分布的n级斜面，n大于或等于2。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，具体涉及一种可提升顶部光提取效率的倒装微型发光二极管的制备方法。

技术介绍

1、微型发光二极管(micro light emitting diode，micro-led)具有峰值亮度高、使用寿命长、功耗低、分辨率高等优点，已逐渐在可穿戴设备、ar/vr设备、车载显示设备和微型投影仪中展现出应用雏形。然而，由于全内反射(totalinternalref lection，tir)和菲涅尔反射的影响，micro-led光提取效率较低，特别是垂直方向的光提取效率随着micro-led的尺寸逐渐减小。

2、鉴于此，针对micro-led光提取效率低下的问题提出了许多解决方法，包括设置增透膜、表面微纳结构和微透镜阵列等方式。但是，虽然在micro-led表面沉积增透膜来提升光效是一种较为便捷的方式，但是需要依赖于高精度的镀膜设备；设置表面微纳结构的方式需要进行相对比较复杂的结构设计，同时可能还需要高精度设备和复杂的工艺技术制作微结构；而微透镜阵列是在micro-led芯片上进行加装，将微透镜阵列集成在micro-led中，从而提升顶部本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种倒装微型发光二极管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤还包括在去除所述衬底前的使用等离子体增强化学气相沉积在主体结构外制备氧化硅绝缘层的步骤，所述氧化硅绝缘层上留有后续制备P电极的窗口。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤还包括在去除所述衬底前通过电子束蒸发制备N电极和P电极的步骤，所述N电极位于相邻的主体结构之间，与第二n型半导体层连接；所述P电极位于导电层上并贯穿氧化硅绝缘层，与导电层连接。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述微型发光二极管的尺寸越...

【技术特征摘要】

1.一种倒装微型发光二极管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤还包括在去除所述衬底前的使用等离子体增强化学气相沉积在主体结构外制备氧化硅绝缘层的步骤，所述氧化硅绝缘层上留有后续制备p电极的窗口。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤还包括在去除所述衬底前通过电子束蒸发制备n电极和p电极的步骤，所述n电极位于相邻的主体结构之间，与第二n型半导体层连接；所述p电极位于导电层上并贯穿氧化硅绝缘层，与导电层连接。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述微型发光二极管的尺寸越大，n越大。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述微型发光二极管的尺寸为5-20μm，n小于或等于3；所述斜面与水平面的夹角沿所述出光方向逐渐减小；所述n级斜面包括第一级斜面、第二级斜面以及第三级斜面，所述第一级斜面与水平面的夹角为45°-80°，所述第二级斜面与水平面的夹角为30°-60°，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹冰，袁维文，陈洋，王紫薇，江河，孙倜，许峰，
申请(专利权)人：苏州大学，
类型：发明
国别省市：