半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术的半导体装置包括：半导体芯片，其具有第一主面以及其相反侧的第二主面；以及沟槽型的IGBT结构，其形成于所述半导体芯片的所述第一主面，所述IGBT结构具有：沟槽，其形成于所述半导体芯片的所述第一主面，且在多个方向上延伸；绝缘膜，其形成于所述沟槽的侧面；埋入导电体，其隔着所述绝缘膜埋入到所述沟槽的内侧；以及交叉部，其由在所述多个方向上延伸的沟槽形成，所述交叉部的角部的曲率指标为1.5μm以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及一种具备沟槽型的igbt结构的半导体装置。

技术介绍

1、专利文献1公开了一种作为半导体装置的一例的rc-igbt（reverse conducting-insulated gate bipolar transistor，反向导通绝缘栅双极晶体管）。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：国际公开第2020/080476号

技术实现思路

1、专利技术所要解决的课题

2、本公开的一个实施方式提供一种能够提高绝缘破坏耐量的半导体装置。

3、用于解决课题的方案

4、本公开的一个实施方式提供一种半导体装置，包括：半导体芯片，其具有第一主面以及其相反侧的第二主面；以及沟槽型的igbt结构，其形成于所述半导体芯片的所述第一主面，所述igbt结构具有：沟槽，其形成于所述半导体芯片的所述第一主面，且在多个方向上延伸；绝缘膜，其形成于所述沟槽的侧面；埋入导电体，其隔着所述绝缘膜埋入于所述沟槽的内侧；以及交叉部，其由在所述多个方向上延伸的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，

10....

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，

10.根据权利要求1至9中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

11.根据权利要求1至3中任一项所述的半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：青野正规，村崎耕平，森山和真，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：