半导体装置制造方法及图纸

半导体装置具有至少一个端子，该端子包括具有导电性的筒状的支架以及插入到上述支架的金属销。另外，上述半导体装置具备支撑上述支架的端子支撑体、以及覆盖上述支架的一部分及上述端子支撑体的封固树脂。上述封固树脂具有朝向厚度方向的一方侧的树脂主面。上述支架具有位于上述厚度方向的一方侧的端部的第一面、以及在上述厚度方向上延伸的第一外侧面。上述第一面在上述厚度方向上处于与上述树脂主面不同的位置。上述第一外侧面与上述封固树脂相接。上述金属销比上述树脂主面更向上述厚度方向的一方侧突出。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体装置。

技术介绍

1、以往，公知有具备mosfet(metal oxide semiconductor field effecttransistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)、igbt(insulated gate bipolartransistor，绝缘栅双极晶体管)等电力用开关元件的半导体装置。这样的半导体装置搭载于从工业设备至家电、信息终端、汽车用设备的所有电子设备。在专利文献1中公开了以往的半导体装置(功率模块)。专利文献1所记载的半导体装置具备半导体元件、以及支撑基板(陶瓷基板)。半导体元件例如是si(硅)制的igbt。支撑基板支撑半导体元件。支撑基板包含绝缘性的基体材料和层叠于基体材料的两面的导体层。基体材料例如由陶瓷构成。各导体层例如由cu(铜)构成，在一方的导体层接合有半导体元件。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2021－190505号公报

技术实现思路

1、专利技术所要解决的课题

<p>2、近年来，要求本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在...

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

11.根据权利要求1～10中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

12.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

13.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

14.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

15.一种半导体装置的制造方法，该半导体装置具备：支撑基板，其具有朝向厚度方向的一方侧的主面；至少一个半导体元件，其配置在上述主面上；至少一个控制端子，其用于控制上述至少一个半导体元件；控制端子支撑体，其在上述厚度方向上介于上述支撑基板与上述至少一个...

【专利技术属性】
技术研发人员：谷川昂平，池田大记，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：