Micro-LED外延结构的制造方法及Micro-LED芯片技术

本申请涉及Micro‑LED制造技术领域，具体涉及一种Micro‑LED器件的制造方法及LED芯片。本申请提供的Micro‑LED外延结构的制造方法，包括以下步骤：提供工艺中间体，工艺中间体至少包括底部的衬底层和顶部的低温GaN层；在低温GaN层远离衬底层一侧表面形成表面平整的应力释放层；在表面平整的应力释放层远离低温GaN层一侧表面形成量子阱发光层。本申请提供的Micro‑LED器件的制造方法，可制造表面平整的量子阱发光层，有效改善量子阱发光层表面的V型坑造成Micro‑LED器件的发光效果低于理想效果的问题。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及micro-led制造，具体涉及一种micro-led器件的制造方法及led芯片。

技术介绍

1、micro-led凭借其高亮度、高对比度、长寿命以及低功耗等显著优势，已在各类尺寸的显示器中得到广泛应用，越来越多的制造商将micro-led显示器视为下一代显示技术。micro-led技术的兴起，主要是为了满足市场对高品质显示器的持续需求。当使用led作为显示器的像素时，为了达到所需的分辨率，必须相应地缩小led芯片的尺寸。micro-led的尺寸范围一般定义为小于100微米(μm)。具体来说，常见的micro-led像素尺寸通常在10μm到100μm之间。随着技术的进步，一些先进的micro-led技术已经能够将像素尺寸进一步缩小至3μm到15μm，甚至更小。

2、参考图1，一种ingan型micro-led器件，包含层叠的衬底层100、aln缓冲层200、非掺杂gan层300、n型gan层400、n型algan层500、、低温gan层600、应力释放层700、量子阱发光层800和p型gan层900。该种micro-led器件中，由于本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种Micro-LED外延结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的Micro-LED外延结构的制造方法，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的Micro-LED外延结构的制造方法，其特征在于，

4.根据权利要求2或3所述的Micro-LED外延结构的制造方法，其特征在于，

5.根据权利要求2所述的Micro-LED外延结构的制造方法，其特征在于，

6.根据权利要求3所述的Micro-LED外延结构的制造方法，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的Micro-LED外延结构的制造方法，其...

【技术特征摘要】

1.一种micro-led外延结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的micro-led外延结构的制造方法，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的micro-led外延结构的制造方法，其特征在于，

4.根据权利要求2或3所述的micro-led外延结构的制造方法，其特征在于，

5.根据权利要求2所述的micro-led外延结构的制造方法，其特征在于，

6.根据权利要求3所述的micro-le...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘春煜，李鸿渐，李盼盼，毕朝霞，黄凯，李金钗，杨旭，张荣，
申请(专利权)人：厦门大学，
类型：发明
国别省市：