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本发明的半导体装置包括：半导体芯片，其具有第一主面以及其相反侧的第二主面；以及沟槽型的IGBT结构，其形成于所述半导体芯片的所述第一主面，所述IGBT结构具有：沟槽，其形成于所述半导体芯片的所述第一主面，且在多个方向上延伸；绝缘膜，其形成于...
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