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本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括：于衬底上形成电容下极板层、介电层和电容上极板层，所述电容下极板层包括第一沟槽，所述介电层在所述第一沟槽中被所述电容下极板层的侧边和所述电容上极板层的侧边包围；形成与所述电容上极板层电性相连的第一导电...
该专利属于格科半导体（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过格科半导体（上海）有限公司授权不得商用。

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