光电转换元件制造技术

本发明专利技术提供一种光电转换元件，即便不使用不良溶媒法也可形成高品质的钙钛矿层，并具有优异的特性。一种光电转换元件，其特征在于，第一电极、电子传输层、光电转换层、空穴传输层及第二电极按所述顺序层叠，所述空穴传输层包含下述化学式(I)所表示的化合物，所述光电转换层包含钙钛矿化合物，并且所述钙钛矿化合物是由包含甲脒及其盐中的至少一者的原料形成的钙钛矿化合物。在所述化学式(I)中，Ar1为包含芳香环的结构，在构成所述芳香环的原子中可包含杂原子，也可不包含杂原子，Ar1可具有除‑L1‑X1以外的取代基，也可不具有除‑L1‑X1以外的取代基，‑L1‑X1可为一个，也可为多个，在多个的情况下，各L1及各X1彼此可相同，也可不同，各L1为将Ar1与X1键结的原子团或为共价键，各X1分别为能够在与所述第一电极之间接受和给予电荷的基。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及一种光电转换元件。

技术介绍

1、近年来，作为清洁能源，太阳光发电备受关注，太阳能电池的开发正不断推进。作为其一，将钙钛矿材料用于光吸收层的太阳能电池作为能够以低成本制造的下一代太阳能电池正迅速受到关注。例如，非专利文献1中报道了将钙钛矿材料用于光吸收层的溶液型的太阳能电池。另外，非专利文献2也报道了固体型的钙钛矿型太阳能电池显示高效率。

2、另外，在形成钙钛矿层时，已知有一种在干燥前滴加不良溶媒的方法作为促进结晶化的方法。由于所述不良溶媒法可获得高品质的结晶，因此出于在小的电芯中获得高转换效率的目的而使用时发挥效果，但具有难以应用于旋涂以外的涂布方法的缺点。

3、现有技术文献

4、非专利文献

5、非专利文献1：《美国化学会志(journal of the american chemicalsociety)》,2009,131,6050-6051.

6、非专利文献2：《科学(science)》,2012,388,643-647.

技术实现思路

<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光电转换元件，其特征在于，第一电极、电子传输层、光电转换层、空穴传输层及第二电极按所述顺序层叠，

2.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中，所述化学式(I)中的Ar1在构成所述芳香环的原子中包含氮原子。

3.根据权利要求1或2所述的光电转换元件，其中，所述化学式(I)中的L1为将Ar1与X1键结的二价连结基或为单键。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的光电转换元件，其中，所述化学式(I)中的X1为能够与所述第一电极形成化学键或氢键的基。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的光电转换元件，其中，所述化学式(I)中的X1分别独立地为...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种光电转换元件，其特征在于，第一电极、电子传输层、光电转换层、空穴传输层及第二电极按所述顺序层叠，

2.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中，所述化学式(i)中的ar1在构成所述芳香环的原子中包含氮原子。

3.根据权利要求1或2所述的光电转换元件，其中，所述化学式(i)中的l1为将ar1与x1键结的二价连结基或为单键。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的光电转换元件，其中，所述化学式(i)中的x1为能够与所述第一电极形成化学键或氢键的基。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的光电转换元件，其中，所述化学式(i)中的x1分别独立地为二羟基磷酰基、羧基、磺基、硼酸基、三卤化硅烷基、三烷氧基硅烷基或三羟基硅烷基。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的光电转换元件，其中，在所述光电转换层中所包含的所述钙钛矿化合物中，所述原料中所包含的所述甲脒的盐为选自由甲酸甲脒、乙酸甲脒、硫氰酸甲脒及氯化甲脒所组成的群组中的至少一种。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的光电转换元件，其中，所述光电转换层中所包含的所述钙钛矿化合物由包含所述甲脒及其盐中的至少一者的溶液形成。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的光电转换元件，其中，所述空穴传输层除了包含所述化学式(i)所表示的化合物以外，还包含下述化学式(ii)所表示的化合物。

9.根据权利要求8所述的光电转换元件，其中，在所述化学式(ii)中的所述a1中，所述经取代或未经取代的氨基为选自由氨基、单烷基氨基、二烷基氨基、单芳基氨基、二芳基氨基及氨基羰基氨基所组成的群组中的至少一个取代基。

【专利技术属性】
技术研发人员：若宫淳志，张明英，金子龙二，山本修平，
申请(专利权)人：株式会社安能科多科技，
类型：发明
国别省市：