【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种深沟槽电容的布局图案，尤其是涉及一种于俯视角度下具有不同形状电极层的布局图案。
技术介绍
1、电容器是存储器、逻辑与模拟电路中的重要组件。由于每单位面积的电容有限，电容器在整个电路布局中一直占据相当大的芯片面积。随着集成电路系统(circuitry)密度增加，用于电容器的可用晶粒面积跟着减少。更稠密电路中的电容器面积减少，因而更难以包括具有够高电容的电容器。因此，在芯片上的电容器面积固定的情况下，可增加电容的结构及方法的需求依然存在。
技术实现思路
1、本专利技术揭露一种深沟槽电容的布局图案，其主要包含一第一电极层设于基底上、一第二电极层设于该第一电极层上、一第三电极层设于该第二电极层上以及一第四电极层设于该第三电极层上。其中第一电极层以及第二电极层于俯视角度下包含不同形状，且第二电极层以及第三电极层于俯视角度下也包含不同形状。
2、本专利技术另一实施例揭露一种深沟槽电容的布局图案，其主要包含一深沟槽电容单元具有多个深沟槽电容图案设于一基底上以及多个接触洞导体...
【技术保护点】
1.一种深沟槽电容的布局图案，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的布局图案，还包含：
3.如权利要求2所述的布局图案，其中该第二电极层以及该第三电极层于俯视角度下包含不同形状。
4.如权利要求2所述的布局图案，其中该第三电极层以及该第四电极层于俯视角度下包含不同形状。
5.如权利要求2所述的布局图案，其中该第四电极层包含U形。
6.如权利要求1所述的布局图案，其中该第一电极层包含矩形。
7.如权利要求1所述的布局图案，其中该第二电极层包含T形。
8.一种深沟槽电容的布局图案，其特
...【技术特征摘要】
1.一种深沟槽电容的布局图案，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的布局图案，还包含：
3.如权利要求2所述的布局图案，其中该第二电极层以及该第三电极层于俯视角度下包含不同形状。
4.如权利要求2所述的布局图案，其中该第三电极层以及该第四电极层于俯视角度下包含不同形状。
5.如权利要求2所述的布局图案，其中该第四电极层包含u形。
6.如权利要求1所述的布局图案，其中该第一电极层包含矩形。
7.如权利要求1所述的布局图案，其中该第二电极层包含t形...
【专利技术属性】
技术研发人员：许智凯，翁彰键，林毓翔，陆俊岑，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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