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一种深沟槽电容的布局图案制造技术
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下载一种深沟槽电容的布局图案的技术资料
文档序号:46624537
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本发明公开一种深沟槽电容的布局图案,其主要包含一第一电极层设于基底上、一第二电极层设于该第一电极层上、一第三电极层设于该第二电极层上以及一第四电极层设于该第三电极层上。其中第一电极层以及第二电极层于俯视角度下包含不同形状,且第二电极层以及第...
该专利属于联华电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。
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