静态随机存取存储器的布局图案及其形成方法技术

本发明专利技术公开一种静态随机存取存储器的布局图案及其形成方法，其中该静态随机存取存储器的布局图案至少包含一基底，多条鳍状结构位于该基底上，多条栅极结构位于该基底上并且跨越该多条鳍状结构，以组成多个晶体管分布于该基底上，其中该多个晶体管包含，一第一上拉晶体管(PU1)、一第一下拉晶体管(PD1)、一第二上拉晶体管(PU2)、一第二下拉晶体管(PD2)、一第一存取晶体管(PG1)、一第二存取晶体管(PG2)、一第一读取晶体管(RPD)与一第二读取晶体管(RPG)，以及一增设鳍状结构，其中该增设鳍状结构位于该第一存取晶体管(PG1)的该鳍状结构与该第二读取晶体管(RPG)的该鳍状结构之间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种静态随机存取存储器(static random access memory， sram)，尤其是涉及一种具有降低电流差异功效的静态随机存取存储器(sram)的布局图案。

技术介绍

1、在一嵌入式静态随机存取存储器(embedded static random access memory，embedded sram)中，包含有逻辑电路(logic circuit)和与逻辑电路连接的静态随机存取存储器。静态随机存取存储器本身属于一种挥发性(volatile)的存储单元(memory cell)，亦即当供给静态随机存取存储器的电力消失之后，所存储的数据会同时抹除。静态随机存取存储器存储数据的方式是利用存储单元内晶体管的导电状态来达成，静态随机存取存储器的设计是采用互耦合晶体管为基础，没有电容器放电的问题，不需要不断充电以保持数据不流失，也就是不需作存储器更新的动作，这与同属挥发性存储器的动态随机存取存储器(dynamic random access memory， dram)利用电容器带电状态存储数据的方式并不相同。静态随机存取存储器的存取速度本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种静态随机存取存储器的布局图案，其特征在于，至少包含:

2.如权利要求1所述的布局图案，其中该第一下拉晶体管(PD1)所包含的该鳍状结构中，至少有一条较短鳍状结构，其中该较短鳍状结构的长度小于该延长鳍状结构的长度。

3.如权利要求1所述的布局图案，其中，该第二下拉晶体管(PD2)所包含的该鳍状结构中，至少有一条第二延长鳍状结构，其中该第三存取晶体管(PG2A)的该鳍状结构至该第二延长鳍状结构的距离，与该第四存取晶体管(PG2B)的该鳍状结构至该第二延长鳍状结构的距离相等。

4.如权利要求1所述的布局图案，其中该第二下拉晶体管(PD2)所包含的该鳍...

【技术特征摘要】

1.一种静态随机存取存储器的布局图案，其特征在于，至少包含:

2.如权利要求1所述的布局图案，其中该第一下拉晶体管(pd1)所包含的该鳍状结构中，至少有一条较短鳍状结构，其中该较短鳍状结构的长度小于该延长鳍状结构的长度。

3.如权利要求1所述的布局图案，其中，该第二下拉晶体管(pd2)所包含的该鳍状结构中，至少有一条第二延长鳍状结构，其中该第三存取晶体管(pg2a)的该鳍状结构至该第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：李伟齐，叶书玮，陈昌宏，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：