【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，尤其涉及一种芯片堆叠结构及其制备方法、电子设备。
技术介绍
1、随着半导体技术的不断发展，芯片的存储和性能要求不断提高，单个芯片的容量和性能的提升难度较大，因此集成有多个芯片的芯片堆叠结构被广泛应用至电子设备中。然而，在芯片堆叠结构中，位于同层且相邻两个芯片之间存在间隙，间隙的存在导致芯片堆叠结构的空间利用率较低。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种芯片堆叠结构及其制备方法、电子设备，可充分利用芯片堆叠结构中位于同层且相邻的两个芯片之间的间隙，提高芯片堆叠结构的空间利用率。
2、为达到上述目的，本申请的实施例采用如下技术方案：
3、第一方面，提供一种芯片堆叠结构。该芯片堆叠结构包括电路结构层、芯片层和电子元件，芯片层位于所述电路结构层上。所述芯片层包括多个芯片，所述多个芯片并排设置，且相邻两个芯片之间具有间隙。电子元件位于所述间隙中，且与所述电路结构层和/或所述芯片相连。
4、这样，本申请实施例将电子元件设置在多个芯片之间的间隙中，...
【技术保护点】
1.一种芯片堆叠结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的芯片堆叠结构，其特征在于，所述电子元件包括电容器，所述电容器包括相对设置的第一极板和第二极板，所述第一极板位于所述第二极板远离所述电路结构层的一侧。
3.根据权利要求2所述的芯片堆叠结构，其特征在于，所述芯片层还包括：
4.根据权利要求2或3所述的芯片堆叠结构，其特征在于，还包括：
5.根据权利要求4所述的芯片堆叠结构，其特征在于，所述连接层还包括第二走线，所述第二极板与所述第二走线相连。
6.根据权利要求4所述的芯片堆叠结构，其特征在于，还包
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【技术特征摘要】
1.一种芯片堆叠结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的芯片堆叠结构，其特征在于，所述电子元件包括电容器，所述电容器包括相对设置的第一极板和第二极板，所述第一极板位于所述第二极板远离所述电路结构层的一侧。
3.根据权利要求2所述的芯片堆叠结构，其特征在于，所述芯片层还包括：
4.根据权利要求2或3所述的芯片堆叠结构，其特征在于，还包括：
5.根据权利要求4所述的芯片堆叠结构，其特征在于，所述连接层还包括第二走线，所述第二极板与所述第二走线相连。
6.根据权利要求4所述的芯片堆叠结构，其特征在于，还包括：
7.根据权利要求6所述的芯片堆叠结构，其特征在于，所述芯片包括第三衬垫，所述第三衬垫与所述第一衬垫面对面贴合，所述第一衬垫和所述第三衬垫形成混合键合结构。
8.根据权利要求6或7所述的芯片堆叠结构，其特征在于，所述芯片堆叠结构包括多个所述芯片层、多个所述连接层和多个所述键合层；在垂直于所述电路结构层的方向上，所述键合层、...
【专利技术属性】
技术研发人员：方慧，刘曙光，景蔚亮，张师伟，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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