相变射频开关及其制备方法技术

本申请实施例提供了一种相变射频开关及其制备方法，该相变射频开关包括：依次相叠的第一电极层、导电细丝层、相变材料层和第二电极层；其中，所述导电细丝层中有金属导电细丝，所述金属导电细丝的两端分别与所述第一电极层和所述相变材料层连接，所述金属导电细丝为所述相变射频开关的加热器。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及相变射频开关，尤其涉及一种相变射频开关及其制备方法。

技术介绍

1、相变射频开关因不需要能量来维持开关的开态和关态，从而可以减少功率的消耗；同时，相变射频开关易与互补金属氧化物半导体(complementary metal oxidesemiconductor，cmos)和微机电系统(micro-electro-mechanical system，mems)等技术集成，并具备更低的栅电压；另外，相变射频开关具有高关/开比、速度快、尺寸小、低寄生电容、低功耗等优良特性，拥有成为新一代高速可重构射频模块的巨大潜力。

2、相变射频开关中通常需要引入加热器，继而在外部脉冲电压的作用下产生足够的热量来驱动相变材料在开态和关态之间的可逆转换。

3、相关技术中，相变材料两端的电极要同时进行信号传输和充当加热器，使得该结构在电极选择上存在着缺陷：一方面，电极的电阻要足够低，才能降低插入损耗，满足射频传输要求；另一方面，电极作为相变材料的加热器，则要优选电阻高的金属材料。因此，如何在有效保证射频传输性能的基础上兼顾加热性能，优化具有低能耗优本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种相变射频开关，包括：

2.根据权利要求1所述的相变射频开关，其中，所述金属导电细丝为链状结构。

3.根据权利要求1所述的相变射频开关，其中，所述导电细丝层的材质包括活性金属和氧化物，所述金属导电细丝由所述活性金属形成。

4.根据权利要求3所述的相变射频开关，其中，所述导电细丝层的材质包括如下之一：

5.根据权利要求1所述的相变射频开关，其中，

6.根据权利要求1至5任一项所述的相变射频开关，其中，还包括第一射频传输层和第二射频传输层；

7.根据权利要求1至5任一项所述的相变射频开关，其中，

8.根...

【技术特征摘要】

1.一种相变射频开关，包括：

2.根据权利要求1所述的相变射频开关，其中，所述金属导电细丝为链状结构。

3.根据权利要求1所述的相变射频开关，其中，所述导电细丝层的材质包括活性金属和氧化物，所述金属导电细丝由所述活性金属形成。

4.根据权利要求3所述的相变射频开关，其中，所述导电细丝层的材质包括如下之一：

5.根据权利要求1所述的相变射频开关，其中，

6.根据权利要求1至5任一项所述的相变射频开关，其中，还包括第一射频传输层和第二射频传输层；

7.根据权利要求1至5任一项所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴建军，张聚栋，
申请(专利权)人：中兴通讯股份有限公司，
类型：发明
国别省市：