【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于快闪存储器及其制造方法，特别是关于可提高栅极耦合率和改善电性表现的快闪存储器及其制造方法。
技术介绍
1、随着制造技术持续朝向元件尺寸的微缩化发展时，许多挑战随之而生。以快闪存储器为例，元件尺寸的微缩使得存储器字线之间的距离越来越近，而使得栅极耦合率降低且干扰加剧，进而降低存储器的电性表现及可靠度。因此，现存的存储器装置及其制造方法仍存在需克服的一些问题。
技术实现思路
1、本专利技术提出的快闪存储器及其制造方法，可以解决元件尺寸微缩下所造成的栅极耦合率降低的问题，进而改善存储器的电性表现及提升其可靠度。
2、本专利技术的实施例提供一种快闪存储器，包括具有多个有源(active)区域的衬底以及多个存储单元。各存储单元包括下栅极、形成于下栅极上的栅极间介电层以及形成于栅极间介电层上的上栅极。下栅极包括位于衬底上方的第一部分，以及嵌置于第一部分中的第二部分，第一部分环绕第二部分的下部，其中第一部分和第二部分包含不同材料，第二部分的上部突出于第一部分的顶表面之上，且栅...
【技术保护点】
1.一种快闪存储器，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的快闪存储器，其特征在于，所述第一部分具有第一掺质浓度，所述第二部分具有第二掺质浓度，所述第二掺质浓度大于所述第一掺质浓度。
3.如权利要求1所述的快闪存储器，其特征在于，所述第一部分和所述第二部分的材料具有不同的导电类型的掺质。
4.如权利要求1所述的快闪存储器，其特征在于，各所述存储单元更包括位于所述第一部分与所述第二部分之间的一阻挡层，以分隔所述第一部分与所述第二部分的所述下部。
5.如权利要求4所述的快闪存储器，其特征在于，所述栅极间介电层直接接触所述阻
【技术特征摘要】
1.一种快闪存储器，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的快闪存储器，其特征在于，所述第一部分具有第一掺质浓度，所述第二部分具有第二掺质浓度，所述第二掺质浓度大于所述第一掺质浓度。
3.如权利要求1所述的快闪存储器，其特征在于，所述第一部分和所述第二部分的材料具有不同的导电类型的掺质。
4.如权利要求1所述的快闪存储器，其特征在于，各所述存储单元更包括位于所述第一部分与所述第二部分之间的一阻挡层，以分隔所述第一部分与所述第二部分的所述下部。
5.如权利要求4所述的快闪存储器，其特征在于，所述栅极间介电层直接接触所述阻挡层的顶表面。
6.如权利要求1所述的快闪存储器，其特征在于，所述第二部分的所述下部的高度在所述第二部分的总高度的50％至90％之间。
7.如权利要求1所述的快闪存储器，其特征在于，所述上栅极沿着一第一方向延伸，各所述有源区域沿着一第二方向延伸，且所述第二方向不同于所述第一方向，所述下栅极的所述第二部分为一柱体嵌置于所述第一部分中，且所述柱体在所述第一方向上的宽度小于所述第一部分在所述第一方向上的宽度...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘重显，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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