【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种输入/输出驱动器，且尤其涉及一种能够形成嵌入式硅控整流器(silicon controlled rectifier，scr)结构的输入/输出驱动器。
技术介绍
1、输入/输出(i/o)驱动器用以从内存装置的输入/输出端子接收在与特定核心电压区域相关联之高逻辑电压与低逻辑电压之间变化的输入电压。在传统上，输入/输出驱动器需要针对每个输入/输出端子额外准备布局面积来配置芯片内(on-chip)的静电放电(electrostatic discharge，esd)二极管以及用来保护驱动电路的电阻。在已耗费相当大的布局面积的情况下，难以进一步提升静电保护能力。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种输入/输出驱动器，能够以有效利用布局面积的方式提供更佳的静电保护能力。
2、本专利技术的输入/输出驱动器包括静电放电保护电路。静电放电保护电路具有连接于输入/输出端子与电源端子之间的硅控整流器，且包括分别设置于基底的第一井区、第二井区、第三井区与第四井区的表层区域中的第一重掺杂...
【技术保护点】
1.一种输入/输出驱动器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的输入/输出驱动器，其特征在于，所述第一重掺杂区与所述第三重掺杂区耦接至所述输入/输出端子，且所述第二重掺杂区与所述第四重掺杂区耦接至所述电源端子。
3.根据权利要求2所述的输入/输出驱动器，其特征在于，所述电源端子接收接地电压。
4.根据权利要求2所述的输入/输出驱动器，其特征在于，所述电源端子接收电源电压。
5.根据权利要求1所述的输入/输出驱动器，其特征在于，还包括驱动电路，所述驱动电路包括多个驱动晶体管，所述第一重掺杂区与所述第三重掺杂区更分别连
【技术特征摘要】
1.一种输入/输出驱动器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的输入/输出驱动器，其特征在于，所述第一重掺杂区与所述第三重掺杂区耦接至所述输入/输出端子，且所述第二重掺杂区与所述第四重掺杂区耦接至所述电源端子。
3.根据权利要求2所述的输入/输出驱动器，其特征在于，所述电源端子接收接地电压。
4.根据权利要求2所述的输入/输出驱动器，其特征在于，所述电源端子接收电源电压。
5.根据权利要求1所述的输入/输出驱动器，其特征在于，还包括驱动电路，所述驱动电路包括多个驱动晶体管，所述第一重掺杂区与所述第三重掺杂区更分别连接至驱动电路。
6.根据权利要求5所述的输入/输出驱动器，其特征在于，所述第一重掺杂区至所述第四重掺杂区沿交错于所述第一方向的第二方向延伸，且所述第一重掺杂区与所述第三重掺杂区分别以相对的两端连接于所述输入/...
【专利技术属性】
技术研发人员：许淑媛，王昭龙，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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