半导体结构的形成方法和光电探测器技术

一种半导体结构的形成方法和光电探测器，形成方法包括：提供衬底；在衬底上形成氧化层；在氧化层上形成盖层；对氧化层和盖层进行刻蚀处理，在氧化层和盖层内形成开口，开口暴露出衬底的部分表面；在开口内形成初始外延层，初始外延层突出于盖层的表面；以盖层为停止层，对初始外延层进行平坦化处理，形成与盖层表面齐平的外延层。在氧化层上形成盖层，盖层覆盖氧化层减少氧化层表面暴露的面积，使得形成的开口容易清洁，为外延层的外延生长提供良好的条件，减少外延层的岛状缺陷，并且，以盖层为停止层，在平坦化处理后形成与盖层表面齐平的外延层，提升了外延层的表面平整度，使得外延层的厚度更易调控，提升了半导体结构的性能稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造，特别涉及一种半导体结构的形成方法和光电探测器。

技术介绍

1、基于硅光体系的光互连可实现超大带宽、低功耗的信号传输，并且，硅光体系可与互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,cmos)技术兼容，依靠成熟的集成电路晶圆制造工艺实现硅光器件集成。对于光互连中实现光电转换的核心器件，锗光电探测器被视为制备片上光互连所需光电探测器的最优选择。锗光电探测器具有如下优势：(1)可实现大响应度的光电转换；(2)锗带隙合适，可实现通信波段(1300～1500nm)的高效探测；(3)锗热导率低，可实现高饱和输出功率。

2、然而，硅基系列光电探测器中锗外延层的生长依然存在难题。

技术实现思路

1、本专利技术解决的问题是如何提升硅基系列光电探测器中锗外延层的生长质量。

2、为解决上述问题，本专利技术提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成氧化层；在所述氧化层上形成盖层；对所述氧化层和所述盖层进行刻蚀本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬底的材料包括硅，所述外延层的材料包括锗。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述盖层的材料包括氮化硅。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述盖层的厚度范围为：10nm～200nm。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述盖层的形成方法包括沉积。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述开口的形成步骤包括：在所述盖层上形成光刻胶层；对...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬底的材料包括硅，所述外延层的材料包括锗。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述盖层的材料包括氮化硅。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述盖层的厚度范围为：10nm～200nm。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述盖层的形成方法包括沉积。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述开口的形成步骤包括：在所述盖层上形成光刻胶层；对所述光刻胶层进行光刻处理，形成开口掩膜层；以所述开口掩膜层为掩膜，对所述盖层和所述氧化层进行刻蚀处理，在所述氧化层和所述盖层内形成开口，所述开口暴露出所述衬底的部分表面。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙静，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：