【技术实现步骤摘要】
本申请涉及电子器件领域，尤其涉及一种封装结构以及终端。
技术介绍
1、芯片是终端的关键器件。芯片内一般设有集成电路，且为了保证集成电路运行的稳定性，会在电路中设置电容。但目前的电容一般设置在芯片的晶圆内。随着芯片中的晶圆(又称die)的尺寸越来越小，留给电容的可加工面积越来越少，这就导致电容的尺寸越来越小，难以满足电容值要求。
技术实现思路
1、本申请提供一种封装结构以及终端，解决了现有电容的可加工面积越来越少，电容值难以满足使用要求的问题。
2、为达到上述目的，本申请采用如下技术方案：
3、第一方面，提供一种封装结构，包括晶圆、设置在晶圆上的第一封装层以及设置在第一封装层上的焊球。焊球设有多个，多个焊球间隔设置，焊球底部设有第一连接部。晶圆内设有电路。第一封装层内设置有再分布层和第一电容结构。再分布层与电路电连接，且与第一连接部间隔设置。第一电容结构串联于再分布层和第一连接部之间，第一电容结构位于空置区域内，且第一电容结构与晶圆间隔设置。空置区域包括第一区域和第二...
【技术保护点】
1.一种封装结构，其特征在于，包括晶圆、设置在所述晶圆上的第一封装层以及设置在所述第一封装层上的焊球；所述焊球设有多个，多个所述焊球间隔设置，所述焊球底部设有第一连接部；所述晶圆内设有电路；所述第一封装层内设置有再分布层和第一电容结构；所述再分布层与所述电路电连接，且与所述第一连接部间隔设置；所述第一电容结构串联于所述再分布层和所述第一连接部之间，所述第一电容结构位于空置区域内，且所述第一电容结构与所述晶圆间隔设置；所述空置区域包括第一区域和第二区域中的至少一个区域，所述第一区域为所述第一封装层中除所述第一连接部和所述再分布层所在区域以外的区域，所述第二区域为焊球之间
【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括晶圆、设置在所述晶圆上的第一封装层以及设置在所述第一封装层上的焊球；所述焊球设有多个，多个所述焊球间隔设置，所述焊球底部设有第一连接部；所述晶圆内设有电路；所述第一封装层内设置有再分布层和第一电容结构；所述再分布层与所述电路电连接，且与所述第一连接部间隔设置；所述第一电容结构串联于所述再分布层和所述第一连接部之间，所述第一电容结构位于空置区域内，且所述第一电容结构与所述晶圆间隔设置；所述空置区域包括第一区域和第二区域中的至少一个区域，所述第一区域为所述第一封装层中除所述第一连接部和所述再分布层所在区域以外的区域，所述第二区域为焊球之间的区域。
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一电容结构的至少部分位于所述第二区域内，所述第二区域还设有第二封装层，所述第二封装层形成于所述第一封装层背离所述晶圆的一面，并将所述第一电容结构凸出所述第一封装层的部分包覆其中。
3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述第二封装层的厚度小于所述焊球凸出所述第一封装层的高度。
4.根据权利要求2或3所述的封装结构，其特征在于，所述第一电容结构的全部位于所述第二封装层内。
5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一封装层包括层叠设置的多个层体，所述第一电容结构位于其中一个层体内，或者位于相邻两个层体之间。
6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一电容结构包括第一分部和与所述第一分部连接的第二分部，所述第一分部的至少部分位于所述第一区域内，所述第二分部的至少部分位于所述第二区域内，所述第二区域还设有第二封装层，所述第二封装层形成于所述第一封装层背离所述晶圆的一面，并将所述第二分部位于所述第二区域内的部分包覆其中。
7.根据权利要求1-6任一项所述的封装结构，其特征在于，所述第一电容结构包括第二连接部以及至少两个平直部，至少两个所述平直部间隔设置并通过第二连接部连接。
8.根据权利要求7所述的封装结构，其特征在于，至少两个所述平直部相对且平行设置。
9.根据权利要求7所述的封装结构，...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨子酉，李美娴，
申请(专利权)人：荣耀终端股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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