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本公开涉及半导体器件及制造半导体器件的方法。一种半导体器件可以包括：行线；与行线交叉的第一列线；与行线交叉的第二列线；第一存储单元，位于行线和第一列线之间并且包括与第一列线相邻的第一可变电阻图案和与行线相邻的第一开关图案；以及第二存储单元，...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

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