【技术实现步骤摘要】
本专利技术总体上涉及电路中电压的调节。更具体地，本专利技术涉及一种使用动态去耦电容器来实现系统稳压的方法。
技术介绍
1、互补金属氧化物半导体(cmos)电路是当今集成电路中广泛使用的高速逻辑电路。然而，它的突发-空闲-突发(burst-idle-burst)的活动特性可能会导致电源轨中的显著电压下降和过冲。因此，在从电源引起的抖动中恢复的过程中，会导致静态时序分析有额外的时序损失。
2、减轻电源轨中电压下降和过冲的一种方法是采用去耦电容器。去耦电容器可为瞬态电流提供旁路，作为区域性储能，从而减少电力输送网络的瞬态电流。然而，传统的去耦电容器是无源电容器，受到特定电流的电压下降要求的限制。因此，传统的方法有几个缺点。例如，需使用大量去耦电容和消耗大量空间，并给稳压电源轨带来不稳定问题。此外，使用基于模拟有源去耦电容器或模拟去耦电容倍增器并不能提供高速反应。此外，为突发-空闲-突发的部件分离电源轨需要额外的电源轨布线资源。这种方法并不能解决器件本身的时序损失，也需要在高速路径中使用电平转换器或隔离单元。
3、下面提...
【技术保护点】
1.一种电路系统(1)，包括：
2.根据权利要求1所述的电路系统(1)，其中所述动态去耦电容器(10)包括基于电荷泵的架构。
3.根据权利要求1所述的电路系统(1)，其中所述动态去耦电容器(10)可随所述逻辑电路(18)调节。
4.根据权利要求1所述的电路系统(1)，其中所述逻辑电路(18)是互补金属氧化物半导体逻辑电路。
5.一种使用根据权利要求1所述的动态去耦电容器(10)来调节电路系统(1)中的电压的方法，所述方法包括以下步骤：
6.根据权利要求5所述的方法，其中从与所述稳压电源(14)分离的储能电源(...
【技术特征摘要】
1.一种电路系统(1)，包括：
2.根据权利要求1所述的电路系统(1)，其中所述动态去耦电容器(10)包括基于电荷泵的架构。
3.根据权利要求1所述的电路系统(1)，其中所述动态去耦电容器(10)可随所述逻辑电路(18)调节。
4.根据权利要求1所述的电路系统(1)，其中...
【专利技术属性】
技术研发人员：金炜旂，陈达兴，塞尔瓦库玛·西瓦拉杰，周兆文，
申请(专利权)人：瑞天芯私人有限公司，
类型：发明
国别省市：
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