半导体存储器件制造技术

一种半导体存储器件包括：基板，所述基板包括沿第一方向设置的多个页缓冲器区域；电路，所述电路分别设置在所述多个页缓冲器区域上；层间绝缘层，所述层间绝缘层设置在所述基板上方以覆盖所述电路；以及多个互连件，所述多个互连件直接设置在所述层间绝缘层上并且分别连接到所述电路。所述多个互连件可以包括：电路互连件，所述电路互连件分别连接到所述电路；以及至少一个公共互连件，所述至少一个公共互连件设置在所述电路上。所述至少一个公共互连件可以连接到所述电路中的至少两个。

【技术实现步骤摘要】

示例实施方式涉及半导体存储器件，更具体地，涉及一种包括页缓冲器的半导体存储器件。

技术介绍

1、随着近年来信息和通信装置的多功能性不断增强，对更高容量和高度集成的存储器件的需求也在不断增长。随着存储单元尺寸减小以实现更高的集成密度，存储器件中包括的用于存储器件的操作和电连接的操作电路和互连结构变得越来越复杂。因此，对具有更高的集成密度和改善的电特性的存储器件存在需求。

2、存储器件可以包括用于在存储单元中存储数据或者从存储单元输出数据的页缓冲器。这些页缓冲器可以包括诸如晶体管的半导体器件。由于存储器件的集成和工艺技术的发展所驱动的对更小的页缓冲器尺寸的需求增加，因此页缓冲器电路中包括的半导体器件的尺寸会减小，并且连接到半导体器件的互连件的布局可能因多个层而变得越来越复杂。因此，需要在不使存储器件的性能劣化的情况下优化互连件的布局。

技术实现思路

1、示例实施方式提供了一种具有更简单的制造工艺和低成本的半导体存储器件，其是通过改变页缓冲器中的互连件的布局来实现的。

2、根据一些实施方式，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括：

2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，

3. 根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，

4.根据权利要求3所述的半导体存储器件，其中，

5.根据权利要求4所述的半导体存储器件，其中，

6. 根据权利要求4所述的半导体存储器件，其中，

7.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，

8.根据权利要求7所述的半导体存储器件，其中，

9.根据权利要求7所述的半导体存储器件，所述半导体存储器件还包括：

10.根据权利要求9所述的半...

【技术特征摘要】

1.一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括：

2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，

3. 根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，

4.根据权利要求3所述的半导体存储器件，其中，

5.根据权利要求4所述的半导体存储器件，其中，

6. 根据权利要求4所述的半导体存储器件，其中，

7.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，

8.根据权利要求7所述的半导体存储器件，其中，

9.根据权利要求7所述的半导体存储器件，所述半导体存储器件还包括：

10.根据权利要求9所述的半导体存储器件，其中，

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【专利技术属性】
技术研发人员：许贤行，金敏洙，全哄秀，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：