【技术实现步骤摘要】
衬底处理设备、衬底处理模块和半导体器件制造方法相关申请的交叉引用本申请要求于2018年12月27日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0170925的优先权，其公开内容通过引用全部合并于此。
与示例实施例一致的设备和方法涉及衬底处理设备、衬底处理模块和制造半导体器件的方法，更具体地，涉及包括光学发射光谱(OES)系统的衬底处理设备、包括OES系统的衬底处理模块以及使用OES系统的半导体器件制造方法。
技术介绍
就制造半导体器件和平板显示装置的处理的小型化和进步而言，等离子体衬底处理设备正在被用于执行例如蚀刻处理、化学气相沉积处理等。等离子体衬底处理设备被配置为向工作台或电极提供射频能量以在等离子体处理腔室内产生电场或磁场，并通过电磁场产生等离子体以对衬底进行处理。
技术实现思路
一个或多个实施例提供了一种具有改进的可靠性的衬底处理设备、衬底处理模块和半导体器件制造方法。根据示例实施例的一方面，提供了一种衬底处理模块，包括：处理腔室，其被配置为对衬底执行处理工艺；...
【技术保护点】
1.一种衬底处理模块，包括：/n处理腔室，其被配置为对衬底执行处理工艺；/n传送腔室，其设置在所述处理腔室的第一侧上，所述衬底在所述处理腔室和所述传送腔室之间被传送；/n光学发射光谱系统，其设置在所述处理腔室的第二侧上，并被配置为监视所述处理腔室；和/n参考光源，其设置在所述传送腔室中，并被配置为发射参考光以对所述光学发射光谱系统进行校准。/n
【技术特征摘要】
20181227 KR 10-2018-01709251.一种衬底处理模块，包括：
处理腔室，其被配置为对衬底执行处理工艺；
传送腔室，其设置在所述处理腔室的第一侧上，所述衬底在所述处理腔室和所述传送腔室之间被传送；
光学发射光谱系统，其设置在所述处理腔室的第二侧上，并被配置为监视所述处理腔室；和
参考光源，其设置在所述传送腔室中，并被配置为发射参考光以对所述光学发射光谱系统进行校准。
2.如权利要求1所述的衬底处理模块，其中，所述参考光源包括：
光源，其被配置为发射所述参考光；和
主体，其支撑所述光源，并且
其中，所述主体设置在所述传送腔室中。
3.如权利要求1所述的衬底处理模块，其中，所述传送腔室包括传送机器人，所述传送机器人被配置为传送所述衬底，并且
其中，所述参考光源与所述传送机器人接合。
4.如权利要求3所述的衬底处理模块，其中，所述传送机器人还包括传送手，所述传送手支撑所述衬底并且被配置为将所述衬底传送到所述处理腔室，并且
其中，所述参考光源与所述传送手接合。
5.如权利要求1所述的衬底处理模块，还包括设置在所述传送腔室中的校准机器人，其中，所述参考光源设置在所述校准机器人上。
6.如权利要求5所述的衬底处理模块，其中，所述校准机器人包括：
校准手，其被配置为在所述传送腔室内的第一位置和所述处理腔室内的第二位置之间移动；和
驱动器，其被配置为驱动所述校准手在所述第一位置和所述第二位置之间移动，并且，
其中，所述参考光源与所述传送手接合。
7.如权利要求1所述的衬底处理模块，其中，所述参考光源包括多个光源，所述多个光源被配置为分别发射具有不同波长带的多个参考光。
8.如权利要求7所述的衬底处理模块，其中，所述参考光源包括：
第一光源，其被配置为发射具有第一波长带的第一参考光；和
第二光源，其被配置为发射具有所述第一波长带内的第二波长带的第二参考光，并且
其中，所述第一参考光的第一波长带的第一宽度大于所述第二参考光的第二波长带的第二宽度。
9.如权利要求8所述的衬底处理模块，其中，所述处理腔室包括处理气体供应器，所述处理气体供应器被配置为向所述处理腔室供应处理气体，并且
其中，所述第二波长带与所述处理气体的主波长带对应。
10.如权利要求1所述的衬底处理模块，还包括：
包括所述处理腔室的多个处理腔室；和
包括所述光学发射光谱系统的多个光学发射光谱系统，所述多个光学发射光谱系统分别设置在所述多个处理腔室上，并且
其中，所述多个光学发射光谱系统被配置为对通过接收照射到所述多个处理腔室中的每个处理腔室内的参考光而获得的数据进行归一化。
11.如权利要求1所述的衬底处理模块，还包括：包括所述处理腔室的多个处理腔室，其中，所述传送腔室包括传送机器人，所述传送机器人被配置为将所述衬底从所述传送腔室传送到所...
【专利技术属性】
技术研发人员：金敬勋，文丁一，李衡周，宣钟宇，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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