一种太阳能电池的刻划方法、制备方法及太阳能电池技术

本发明专利技术提供一种太阳能电池的刻划方法、制备方法及太阳能电池，方法包括：提供太阳能电池，太阳能电池包括待刻划膜层，待刻划膜层包括位于边缘的非有效区域和与非有效区域相邻的有效区域；采用第一控制参数对在非有效区域的待刻划膜层进行第一阶段刻划，形成第一刻划线，第一刻划线的深度以穿透待刻划膜层为准；采用第二控制参数从第一刻划线的末端继续刻划待刻划膜层，形成第二刻划线，第二刻划线的深度以穿透待刻划膜层为准；第一控制参数不同于第二控制参数，以使第一刻划线的深度不小于第二刻划线的深度，从而降低第二刻划过程中出现过刻或者漏刻的可能性，进而提升太阳能电池性能。

【技术实现步骤摘要】
一种太阳能电池的刻划方法、制备方法及太阳能电池
本专利技术涉及太阳能电池组件加工
，尤其涉及一种太阳能电池的刻划方法、制备方法及太阳能电池。
技术介绍
太阳能电池如CuInxGa(1-x)Se2、CIGS因具有光吸收能力强，发电稳定性好和转化效率高等优点，逐渐被广泛应用于太阳能发电领域，且将成为未来的主流产品。太阳能电池的制作过程，依次镀制背电极层、光电转换层以及窗口层，最终形成包含P-N结的太阳能电池组件，实现太阳能发电功能。在镀制各功能膜层过程中通常需要多道刻划工艺进行刻线，例如：经过三次刻划，依次刻划形成P1刻线、P2刻线和P3刻线。但是，在各道刻划工艺进行刻线过程中，可能存在刻划设备设置的控制参数(如刻划速度或者刻划压力等)过大或者过小，使得刻划过程中出现过刻或者漏刻，从而导致太阳能电池性能下降。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种太阳能电池的刻划方法、制备方法及太阳能电池，以解决目前在太阳能电池刻划工艺中，存在过刻或者漏刻而导致太阳能电池性能下降的问题。为解决上述技术问题，本专利技术是这样本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太阳能电池的刻线方法，其特征在于，包括：/n提供太阳能电池，所述太阳能电池包括待刻划膜层，所述待刻划膜层包括位于边缘的非有效区域和与所述非有效区域相邻的有效区域；/n采用第一控制参数对在所述非有效区域的待刻划膜层进行第一阶段刻划，形成第一刻划线，所述第一刻划线的深度以穿透所述待刻划膜层为准；/n采用第二控制参数从所述第一刻划线的末端继续刻划所述待刻划膜层，形成第二刻划线，所述第二刻划线的深度以穿透所述待刻划膜层为准；/n所述第一控制参数不同于所述第二控制参数，以使所述第一刻划线的深度不小于所述第二刻划线的深度。/n

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池的刻线方法，其特征在于，包括：
提供太阳能电池，所述太阳能电池包括待刻划膜层，所述待刻划膜层包括位于边缘的非有效区域和与所述非有效区域相邻的有效区域；
采用第一控制参数对在所述非有效区域的待刻划膜层进行第一阶段刻划，形成第一刻划线，所述第一刻划线的深度以穿透所述待刻划膜层为准；
采用第二控制参数从所述第一刻划线的末端继续刻划所述待刻划膜层，形成第二刻划线，所述第二刻划线的深度以穿透所述待刻划膜层为准；
所述第一控制参数不同于所述第二控制参数，以使所述第一刻划线的深度不小于所述第二刻划线的深度。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
采用第三控制参数从所述第二刻划线的末端继续对所述待刻划膜层进行第三阶段刻划，形成第三刻划线，所述第三刻划线的深度以穿透所述待刻划膜层为准；
其中，所述第三控制参数不同于所述第一控制参数和所述第二控制参数，所述第三控制线的深度不小于所述第二刻划线的深度。


3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，
所述待刻划膜层为以下各层中的一层：
光电转换层；
所述光电转换层及其表面的窗口层组成的复合层；和
背电极层。


4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，
采用激光刻划方式刻划所述待刻划膜层，且所述控制参数包括刻划速度、激光强度和激光频率中的至少一项。


5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，采用机械刻划方式刻划所述待刻划膜层，且所述控制参数包括刻划压力和/或刻划速度。


6.根据权利要求3中所述的方法，其特征在于，当所述待刻划膜层为所述光电转换层时，
刻划所述第一刻划线的刻划压力大于或者等于0.8牛且小于或者等于5牛，优选的，刻划所述第一刻划线的刻划压力大于或者等于1.2牛且小于或者等于3牛；
刻划所述第二刻划线的刻划压力大于或者等于0.3牛且小于或者等于2牛，优选...

【专利技术属性】
技术研发人员：李新连，刘德臣，杨立红，
申请(专利权)人：北京铂阳顶荣光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11