太阳能电池吸收层和缓冲层的连续蒸镀装置与方法制造方法及图纸

技术编号:26885972 阅读:85 留言:0更新日期:2020-12-29 15:44
本发明专利技术公开了一种太阳能电池吸收层/缓冲层的连续蒸镀装置与方法,包括:腔体;放卷装置,设置于所述腔体上部的第一端,用于放出钢卷;收卷装置,设置于所述腔体上部的第二端,用于收起钢卷;多个蒸发部,设置于所述腔体的下部,用于蒸发多种物质至钢卷上;至少一个加热器,设置于所述钢卷的上方,用于加热所述钢卷;第一驱动装置,设置于上述腔体内,用于驱动所述收卷装置第二驱动装置,设置于上述腔体内,用于驱动所述放卷装置。根据本发明专利技术提供的太阳能电池吸收层/缓冲层的连续蒸镀装置与方法能够在蒸发吸收层之后能够迅速蒸发沉积缓冲层,既降低了设备成本,又能避免钢卷转移,同时缩短镀膜周期,提高薄膜沉积效率。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池吸收层和缓冲层的连续蒸镀装置与方法
本专利技术涉及多腔室全真空薄膜沉积与传输系统,具体涉及一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池吸收层和缓冲层蒸发镀膜装置。
技术介绍
铜铟镓硒薄膜太阳电池是以多晶CuInSe2(CIS)半导体薄膜为吸收层的太阳电池,金属镓元素部分取代铟,又称为铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳电池。CIGS材料属于Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族四元化合物半导体,具有黄铜矿的晶体结构。CIGS薄膜太阳电池自20世纪70年代出现以来,得到非常迅速的发展,目前已成为国际光伏界的研究热点,并逐步走出了一条产业化道路。CIGS薄膜太阳电池由多层金属或半导体薄膜构成,其中CIGS吸收层是整个电池的核心,起到吸收光子能量产生载流子的作用,厚度约1.5~2.5μm,其制备方法一般为真空溅射或真空蒸镀法。缓冲层多采用CdS薄膜,是介于吸收层和窗口层之间的一层半导体薄膜,能够起到减少带隙台阶并调节晶格失配的作用,厚度约30~50nm,制备方法一般为化学水浴法(ChemicalBathDeposition,CBD)。当前技术方案中,CIGS吸收层与缓冲层一般本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太阳能电池吸收层/缓冲层的连续蒸镀装置,其特征在于,包括:/n腔体;/n放卷装置,设置于所述腔体上部的第一端,用于放出钢卷;/n收卷装置,设置于所述腔体上部的第二端,用于收起钢卷;/n多个蒸发部,设置于所述腔体的下部,用于蒸发多种物质至所述钢卷上;/n至少一个加热器,设置于所述钢卷的上方,用于加热所述钢卷/n第一驱动装置,设置于上述腔体内,用于驱动所述收卷装置/n第二驱动装置,设置于上述腔体内,用于驱动所述放卷装置。/n

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池吸收层/缓冲层的连续蒸镀装置,其特征在于,包括:
腔体;
放卷装置,设置于所述腔体上部的第一端,用于放出钢卷;
收卷装置,设置于所述腔体上部的第二端,用于收起钢卷;
多个蒸发部,设置于所述腔体的下部,用于蒸发多种物质至所述钢卷上;
至少一个加热器,设置于所述钢卷的上方,用于加热所述钢卷
第一驱动装置,设置于上述腔体内,用于驱动所述收卷装置
第二驱动装置,设置于上述腔体内,用于驱动所述放卷装置。


2.根据权利要求1所述的太阳能电池吸收层/缓冲层的连续蒸镀装置,其特征在于,还包括:至少一个张力控制辊,放卷装置放出的钢卷经过所述张力控制辊进入所述收卷装置。


3.根据权利要求2所述的太阳能电池吸收层/缓冲层的连续蒸镀装置,其特征在于,所述张力控制辊为两个,分别设置在所述放卷装置、收卷装置的正下方。


4.根据权利要求1所述的太阳能电池吸收层/缓冲层的连续蒸镀装置,其特征在于,所述多个蒸发部包括:第一蒸发部、第二蒸发部、第三蒸发部、第四蒸发部。


5.根据权利要求4所述的太阳能电池吸收层/缓冲层的连续蒸镀装置,其特征在于,还包括多个挡板,所述挡板的一端与所述腔体的下底面连接,用于将所述多个蒸发部隔开为多个蒸发部。


6.根据权利要求4所述的太阳能电池吸收层/缓冲层的连续蒸镀装置,其特征在于,所述第一蒸发部用于放置:NaF蒸发源,第一In蒸发源,第一Ga蒸发源,第一Se蒸发源;
所述第二蒸发部用于放置:第一Cu蒸发源,第二Se蒸发源,第二Cu蒸发源,第三Se...

【专利技术属性】
技术研发人员:张冲王雪戈
申请(专利权)人:北京铂阳顶荣光伏科技有限公司
类型:发明
国别省市:北京;11

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