半导体晶片的清洗槽及清洗方法技术

本发明专利技术提供能够将半导体晶片的周缘部更均匀地清洗的半导体晶片的清洗槽及清洗方法。一种半导体晶片（W）的清洗槽，是将多片半导体晶片（W）浸渍到清洗液而清洗的半导体晶片的清洗槽（1），具备：槽主体（11），在上部具有开口部（11a），收容多片半导体晶片（W）并储存清洗液；以及多个晶片导引部（32），在表面设置有多个槽口（S），上述多个槽口（S）由第1侧面部（32a）和第2侧面部（32b）划定，且上述多个槽口（S）立设支承半导体晶片（W）；一边使清洗液从槽主体（11）的开口部（11a）溢流一边将多片半导体晶片（W）清洗，其特征在于，在第1侧面部（32a）及第2侧面部（32b）的各自设置有将清洗液喷射的清洗液喷射口（32c）。

【技术实现步骤摘要】
半导体晶片的清洗槽及清洗方法
本专利技术涉及半导体晶片的清洗槽及清洗方法。
技术介绍
一般，以硅晶片为代表的半导体晶片经过培育单晶锭、将培育成的单晶锭切断为块后较薄地切片、粗研磨（研磨（lapping））、倒角、镜面研磨（抛光）、腐蚀（etching）等工序而制造。在上述工序中，发生半导体晶片的研磨粉等微粒，附着到半导体晶片而表面污染。这样的污染不仅使半导体晶片的品质下降，还使半导体设备产生缺陷或引起设备特性的下降，使半导体设备的成品率降低。因此，为了减少半导体晶片表面的污染，一般使用酸或碱等腐蚀液或纯水等清洗液进行半导体晶片的清洗。图1（a）表示一般的将半导体晶片清洗的清洗槽的一例。该图所示的半导体晶片的清洗槽100是将多片（例如25片）半导体晶片W浸渍到清洗液而一次清洗的批量式的清洗槽，具备槽主体11、多个晶片导引部12和清洗液供给部13。槽主体11在上部具有开口部11a，在内部收容多片半导体晶片W，并且储存将半导体晶片W清洗的清洗液。此外，晶片导引部12如图1（b）所示，在其表面以规定的间隔（例如10mm）设置有由本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体晶片的清洗槽，是将多片半导体晶片浸渍到清洗液而清洗的半导体晶片的清洗槽，具备：槽主体，在上部具有开口部，收容前述多片半导体晶片并储存前述清洗液；以及多个晶片导引部，在表面设置有多个槽口，前述多个槽口由第1侧面部和第2侧面部划定，且前述多个槽口立设支承前述半导体晶片；一边使前述清洗液从前述槽主体的开口部溢流，一边将前述多片半导体晶片清洗；其特征在于，/n在前述第1侧面部及前述第2侧面部的各自，设置有将前述清洗液喷射的清洗液喷射口。/n

【技术特征摘要】
20181225 JP 2018-2409141.一种半导体晶片的清洗槽，是将多片半导体晶片浸渍到清洗液而清洗的半导体晶片的清洗槽，具备：槽主体，在上部具有开口部，收容前述多片半导体晶片并储存前述清洗液；以及多个晶片导引部，在表面设置有多个槽口，前述多个槽口由第1侧面部和第2侧面部划定，且前述多个槽口立设支承前述半导体晶片；一边使前述清洗液从前述槽主体的开口部溢流，一边将前述多片半导体晶片清洗；其特征在于，
在前述第1侧面部及前述第2侧面部的各自，设置有将前述清洗液喷射的清洗液喷射口。


2.如权利要求1所述的半导体晶片的清洗槽，其特征在于，
前述清洗液喷射口构成为，当在前述半导体晶片立设支承在前述槽口的状态下从与前述半导体晶片的主面垂直的方向观察时，从前述清洗液喷射口喷射的清洗液的喷射方向相对于从前述清洗液喷射口朝向前述半导体晶片的中心的方向倾斜。


3.如权利要求1或2所述的半导体晶片的清洗槽，其特征在于，
当在前述半导体晶片立设支承在前述槽口的状态下从与前述半导体晶片的主面垂直的方向观察时，从前述第1侧面部的清洗液喷射口喷射的清洗液的喷射方向和从前述第2侧面的清洗液喷射口喷射的清洗液的喷射方向相对于包括前述半导体晶片的中心、前述半导体晶片与前述第1侧面部的接触点、以及前述半导体晶片与前述第2侧面部的接触点且与前述半导体晶片的主面垂直的面是相互相反的朝向...

【专利技术属性】
技术研发人员：今城宽纪，
申请(专利权)人：胜高股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP