用于清洗晶圆的滚轮以及具有滚轮的清洗装置制造方法及图纸

技术编号:24802904 阅读:50 留言:0更新日期:2020-07-07 21:38
本发明专利技术提供了一种用于清洗晶圆的背面的滚轮。晶圆的背面具有中心区域以及包围中心区域的外围区域。滚轮包括上部元件、底部元件以及用于连接上部元件和底部元件的轴元件。滚轮的上部元件配置成与晶圆的正面接触。底部元件配置成与晶圆的背面接触并从晶圆的背面的外围区域上去除颗粒。底部元件由选自包括研磨垫、砂纸和石棉的材料制成。

【技术实现步骤摘要】
用于清洗晶圆的滚轮以及具有滚轮的清洗装置相关申请的交叉引用本申请要求于2018年12月25日提交的第62/784,762号美国临时专利申请的权益和优先权,其全部内容通过引用并入本文。
本专利技术总体上涉及一种用于清洗晶圆的滚轮以及具有滚轮的清洗装置。更具体而言,本专利技术涉及一种在其底部元件上包括研磨材料以从晶圆的背面去除颗粒的滚轮。
技术介绍
化学机械研磨(ChemicalMechanicalPolishing,简称CMP)过程是通过在受控的温度、压力和化学成分条件下,将半导体晶圆抵靠在旋转研磨表面上或者将晶圆相对于研磨表面移动来完成的。研磨表面可以是由相对柔软的多孔材料(例如,发泡聚氨酯)形成的平面状的垫,并用具有化学活性和研磨性的水性浆料浸泡。水性浆料可以是酸性或碱性的,通常包括磨料颗粒,诸如过渡金属螯合盐或氧化剂之类的反应性化学试剂,以及诸如溶剂、缓冲剂和钝化剂之类的助剂。在这种浆料中,盐或其他试剂可以促进化学蚀刻作用;而磨料颗粒与研磨垫可以共同促进机械研磨作用。CMP过程正成为用于对电介质层和金属层二者执行平坦本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于清洗晶圆的背面的滚轮,其特征在于,/n所述晶圆的所述背面具有中心区域以及包围所述中心区域的外围区域,所述滚轮包括:/n上部元件,配置成与所述晶圆的正面接触;/n底部元件,配置成与所述晶圆的背面接触并从所述晶圆的背面的外围区域上去除颗粒,其中,所述底部元件由选自包括研磨垫、砂纸、石棉或其任意组合的材料制成;以及/n轴元件,用于连接所述上部元件和所述底部元件。/n

【技术特征摘要】
20181225 US 62/784762;20191023 US 16/6619501.一种用于清洗晶圆的背面的滚轮,其特征在于,
所述晶圆的所述背面具有中心区域以及包围所述中心区域的外围区域,所述滚轮包括:
上部元件,配置成与所述晶圆的正面接触;
底部元件,配置成与所述晶圆的背面接触并从所述晶圆的背面的外围区域上去除颗粒,其中,所述底部元件由选自包括研磨垫、砂纸、石棉或其任意组合的材料制成;以及
轴元件,用于连接所述上部元件和所述底部元件。


2.如权利要求1所述的用于清洗晶圆的背面的滚轮,其特征在于,
所述上部元件和所述轴元件均由聚氨酯制成。


3.如权利要求1所述的用于清洗晶圆的背面的滚轮,其特征在于,
所述上部元件和所述底部元件中的每个元件均可以具有盘状形状,所述底部元件的直径大于所述上部元件的直径。


4.如权利要求1所述的用于清洗晶圆的背面的滚轮,其特征在于,
所述轴元件配置成与所述晶圆的边缘接触,所述滚轮还配置围绕所述轴元件的中心线旋转以旋转所述晶圆。


5.一种用于清洗晶圆的背面的滚轮,其特征在于,
所述晶圆的所述背面具有中心区域以及包围所述中心区域的外围区域,所述滚轮包括:
上部元件,配置成与所述晶圆的正面接触;
底部元件,配置成与所述晶圆的所述背面接触,其中,所述底部元件包括主要部分以及设置在所述主要部分上的研磨部分,所述研磨部分配置成去除所述晶圆的所述背面的外围区域上的颗粒;以及
轴元件,用于连接所述上部元件和所述底部元件。


6.如权利要求5所述的用于...

【专利技术属性】
技术研发人员:鲁荣硕
申请(专利权)人:夏泰鑫半导体青岛有限公司
类型:发明
国别省市:山东;37

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1