薄膜形成装置及包括其的基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种薄膜形成装置及包括其的基板处理装置。基板处理装置可以包括第一处理部和第二处理部。所述第一处理部可以包括薄膜形成部和厚度调整部。所述薄膜形成部可以在所述基板的上表面形成具有均匀的厚度的薄膜，并且所述厚度调整部可以调整所述薄膜的厚度，以使形成在所述基板的上表面的第一区域的薄膜比形成在所述基板的所述上表面的除了所述第一区域之外的第二区域的薄膜具有更厚的厚度，所述基板的所述上表面的所述第一区域对应于执行第二处理部中的处理工艺时与支承销直接接触的所述基板的背表面的第一区域。所述第二处理部可以在使用所述支承销支承所述基板的背表面的状态下执行处理工艺。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种薄膜形成装置及包括其的基板处理装置。更详细而地，本专利技术涉及一种构成为在基板的上表面的一部分区域形成具有更厚的厚度的薄膜的薄膜形成装置及包括其的基板处理装置，其中，所述基板的上表面的一部分区域对应于在执行后续处理工艺时与支承销直接接触的基板的背表面的一部分区域。

技术介绍

1、在制造集成电路元件(例如，半导体元件、显示元件等)时，可以执行用于在基板上形成期望图案的图案形成工艺。所述图案形成工艺可以主要通过执行光刻(photolithography)工艺来实现。所述光刻工艺可以通过在将形成在基板上的光致抗蚀剂涂层膜形成为光致抗蚀剂图案后执行蚀刻工艺来实现。

2、在形成所述光致抗蚀剂涂层膜的薄膜形成工艺中，在形成光致抗蚀剂涂层膜之后，可以执行从光致抗蚀剂涂层膜将溶剂去除处理的处理工艺。将所述溶剂去除处理的处理工艺可以通过使用具备支承基板的背表面的支承销的处理装置来实现。

3、然而，在执行将所述溶剂去除处理的处理工艺时，可能会发生如下的工艺不良：形成在对应于与支承销直接接触的基板的背表面的一部分区域的基板的上表面的一部本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种薄膜形成装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的薄膜形成装置，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的薄膜形成装置，其特征在于，

4.根据权利要求2所述的薄膜形成装置，其特征在于，

5.根据权利要求2所述的薄膜形成装置，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的薄膜形成装置，其特征在于，

7.根据权利要求2所述的薄膜形成装置，其特征在于，

8.一种基板处理装置，其特征在于，包括：

9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，

10.根据权利要求9所述的基板处理装置...

【技术特征摘要】

1.一种薄膜形成装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的薄膜形成装置，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的薄膜形成装置，其特征在于，

4.根据权利要求2所述的薄膜形成装置，其特征在于，

5.根据权利要求2所述的薄膜形成装置，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的薄膜形成装置，其特征在于，

7.根据权利要求2所述的薄膜形成装置，其特征在于，

8.一种基板处理装置，其特征在于，包括：

9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，

10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，

11.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴培浣，崔孝兆，姜声根，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：