【技术实现步骤摘要】
本申请涉及光刻机，具体涉及一种多芯片高密度连接光刻技术的实现方法、一种多芯片高密度连接光刻技术的实现方法、用于多芯片互连的光刻技术的实现方法、芯片级芯片互连方法、掩膜版线条的制作方法以及光刻设备。
技术介绍
1、在现代半导体制造中，光刻技术是实现高密度集成电路的关键步骤。光刻工艺通过将掩膜版上的图案精确转移到硅片表面的光刻胶上，形成所需的电路结构。随着集成电路集成度的不断提高，图形最小尺寸（critical dimension,简称cd）的要求也越来越严格。在光刻机图形曝光中，图形最小尺寸的极限理论估计可以由用于分辨率的瑞利法则给出，瑞利法则如公式（1）所示:
2、 公式（1）
3、其中，是所用光刻机光源的波长，是用以曝光的光刻机投影系统的数值孔径，是依赖于光刻工艺的调节因子,也称为瑞利常数，是图形最小尺寸。由公式（1）可知，减小图形最小尺寸主要有三种途径：缩短曝光波长、增大数值孔径、或者减小。通过上述三种途径来减小图形最小尺寸的难度过大，成本过高。此外，随着器件尺寸的不断缩小，量子隧穿效应导致的漏电问...
【技术保护点】
1.一种多芯片高密度连接光刻技术的实现方法，用于实现包含M×N个芯片的互连，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述执行曝光之前，还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述第二对准标记为原有图形单元对应的对准标记的情况下，所述衬底或者执行所述曝光所选择的掩膜版预设有对应的偏移距离，所述将所述衬底或者执行所述曝光所选择的掩膜版偏置预设的偏移距离，包括：
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述第二对准标记为针对待执行的曝光设置的对准标记的情况下，所述设定的偏移距离为0。
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【技术特征摘要】
1.一种多芯片高密度连接光刻技术的实现方法，用于实现包含m×n个芯片的互连，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述执行曝光之前，还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述第二对准标记为原有图形单元对应的对准标记的情况下，所述衬底或者执行所述曝光所选择的掩膜版预设有对应的偏移距离，所述将所述衬底或者执行所述曝光所选择的掩膜版偏置预设的偏移距离，包括：
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述第二对准标记为针对待执行的曝光设置的对准标记的情况下，所述设定的偏移距离为0。
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在执行所述曝光所选择的掩膜版的掩膜版图形在所述掩膜版中的位置和原有掩膜版的掩膜版图形在所述原有掩膜版中的位置之间的相对位置关系，与执行所述曝光待形成的曝光区域和待形成的所述曝光区域所覆盖的所述原有图形单元的位置关系相同的情况下，所述设定的偏移距离为0；
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述重叠区域为m×n芯片组中相邻图形单元对应相邻曝光区域的第一曝光区域和第二曝光区域相重叠产生的区域；所述第一曝光区域包括第一线条、第二线条和第三线条；所述第二曝光区域包括第四线条、第五线条和第六线条；所述第一线条和所述第三线条相连接且所述第二线条与所述第三线条相连接；所述第四线条和所述第六线条相连接且所述第六线条和所述第五线条相连接；
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，还包括：
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，还包括：
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述第一曝光区域和所述第二曝光区域纵向上相重叠时，所述第一间隔为横向上的间隔，所述第二间隔和所述第三间隔为纵向上的间隔。
10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述第一曝光区域和所述第二曝光区域横向上相重叠时，所述第一间隔为纵向上的间隔，所述第二间隔和所述第三间隔为横向上的间隔。
11.根据权利要求8~10任一项所述的方法，其特征在于，所述第一间隔大于或者等于所述光刻设备的最小关键尺寸。
12.根据权利要求8~10任一项所述的方法，其特征在于，在所述第二线条的尺寸大于或者等于所述第三线条的尺寸时，所述第二间隔大于或者等于目标数值，所述目标数值为所述光刻设备的最小关键尺寸、所述第一曝光区域和所述第二曝光区域之间的对准偏差限定值中的最大值。
13.根据权利要求8~10任一项所述的方法，其特征在于，在所述第二线条的尺寸小于所述第三线条的尺寸时，所述第三间隔大于或者等于目标数值。
14.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，还包括：
15.根据权利要求14所述的方法，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：曾传滨，田大庆，
申请(专利权)人：北京中科彼岸集成电路科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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