基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基板处理装置。该基板处理装置可靠地进行基板处理装置内的空间的气氛调整并且削减气氛调整用的气体的使用量。基板处理装置包括：控制基板处理区的处理区域内的气氛的第1气氛控制系统和控制基板处理区的基板输送区域内的气氛的第2气氛控制系统。第1气氛控制系统在利用各液体处理单元进行液体处理时，利用第1气体供给部向该液体处理单元供给气氛控制气体，并且利用第1气体排出部排出该液体处理单元内的气氛。第2气氛控制系统使气氛调整气体在属于该第2气氛控制系统的循环系统内循环，并且在液体处理单元中的至少一个液体处理单元于基板输送区域开放时，利用第2气体排出部排出第2气氛控制系统的循环系统内的气氛。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置
本公开涉及一种基板处理装置。
技术介绍
为了制造半导体装置，而对半导体晶圆(基板)实施各种各样的处理。在专利文献1中公开有一种作为用于在晶圆上形成绝缘膜的基板处理装置的膜形成系统。膜形成系统包括：第1处理站、第2处理站以及在第1处理站与第2处理站之间进行晶圆的交接的接口部。在第1处理站设有在晶圆涂布涂布液的涂布装置。在第2处理站设有使处于晶圆上的涂布液中的溶剂成分蒸发的加热处理装置(热处理炉)。在接口部设有输送晶圆的晶圆输送体和在利用加热处理装置进行处理的前后暂时载置晶圆的载置部。加热处理装置具有向该加热处理装置的处理室内供给氮气的气体供给单元和从处理室内排气的排气单元，利用气体供给单元和排气单元使处理室内成为缺氧气氛(日文：低酸素雰囲気)。设有第2处理站和接口部的区域由面板包围。向该区域供给氮气，以使该区域成为缺氧气氛。由此，抑制晶圆表面的涂布膜的氧化。专利文献1：日本特开2001－102374号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本公开提供一种可靠地进行基板处理装置内的空间的气氛本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理装置，其中，/n该基板处理装置包括：/n基板处理区，其具有：设有至少一个对基板进行液体处理的液体处理单元的处理区域和设有相对于所述液体处理单元输送基板的基板输送机构的基板输送区域；/n基板输送区，其具有基板输送机，该基板输送机自利用容器保持部保持的基板收纳容器取出基板并将其输送到所述基板处理区的所述基板输送机构能够到达的位置；/n第1气氛控制系统，其控制所述基板处理区的所述处理区域内的气氛；以及/n第2气氛控制系统，其控制所述基板处理区的所述基板输送区域内的气氛，/n所述第1气氛控制系统具有第1气体供给部和第1气体排出部，构成为在利用各所述液体处理单元进行液体处理时，利用所述第...

【技术特征摘要】
20190108 JP 2019-0012691.一种基板处理装置，其中，
该基板处理装置包括：
基板处理区，其具有：设有至少一个对基板进行液体处理的液体处理单元的处理区域和设有相对于所述液体处理单元输送基板的基板输送机构的基板输送区域；
基板输送区，其具有基板输送机，该基板输送机自利用容器保持部保持的基板收纳容器取出基板并将其输送到所述基板处理区的所述基板输送机构能够到达的位置；
第1气氛控制系统，其控制所述基板处理区的所述处理区域内的气氛；以及
第2气氛控制系统，其控制所述基板处理区的所述基板输送区域内的气氛，
所述第1气氛控制系统具有第1气体供给部和第1气体排出部，构成为在利用各所述液体处理单元进行液体处理时，利用所述第1气体供给部向该液体处理单元供给气氛控制气体，并且利用所述第1气体排出部排出该液体处理单元内的气氛，
所述第2气氛控制系统具有：循环系统，其包含所述基板处理区的所述基板输送区域以及与所述基板输送区域连接的循环通路；第2气体供给部，其向所述第2气氛控制系统的所述循环系统供给气氛控制气体；以及第2气体排出部，其排出所述第2气氛控制系统的所述循环系统内的气氛，所述第2气氛控制系统构成为使气氛调整气体在所述第2气氛控制系统的所述循环系统中循环，并且，所述第2气氛控制系统构成为，在所述液体处理单元中的至少一个所述液体处理单元于所述基板输送区域开放时，利用所述第2气体排出部排出所述第2气氛控制系统的所述循环系统内的气氛。


2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置还包括第3气氛控制系统，该第3气氛控制系统控制所述基板输送区内的气氛，所述第3气氛控制系统具有：循环系统，其包含所述基板输送区以及与所述基板输送区连接的循环通路；第3气体供给部，其向所述第3气氛控制系统的所述循环系统供给气氛控制气体；以及第3气体排出部，其排出所述第3气氛控制系统的所述循环系统内的...

【专利技术属性】
技术研发人员：青木大辅，南田纯也，丰田康典，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP