基片处理装置、基片处理方法和存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术提供基片处理装置、基片处理方法和存储介质。基片处理装置包括：处理部，其用于利用循环的处理液对基片实施处理，处理液的流路中包含含金属材料；处理控制部，其控制处理部以将基片送入处理用的区域而使其暴露于处理液；和吸附控制部，其控制处理部以将吸附处理液中的金属成分的吸附部件送入处理用的区域而使其暴露于处理液。本发明专利技术对抑制从含金属材料析出的金属成分附着到基片的附着量是有效的。

【技术实现步骤摘要】
基片处理装置、基片处理方法和存储介质
本专利技术涉及基片处理装置、基片处理方法和存储介质。
技术介绍
在专利文献1中公开有如下的半导体晶片的清洗方法：在由平均Al浓度为1ppb以下的合成石英材料构成的清洗槽内盛满氨和过氧化氢水溶液的清洗液，将半导体晶片浸渍在清洗液中，利用清洗液使合成石英的表面蚀刻速度成为0.3nm/min以下来清洗半导体晶片。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2013-243219号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题本专利技术的目的在于提供对抑制从含金属材料析出的金属成分附着在基片的附着量有效的基片处理装置和基片处理方法。用于解决技术问题的技术方案本专利技术的一个方面的基片处理装置包括：处理部，其用于利用循环的处理液对基片实施处理，处理液的流路中包含含金属材料；处理控制部，其控制处理部以将基片送入处理用的区域而使其暴露于处理液；和吸附控制部，其控制处理部以将吸附处理液中的金属成分的吸附部件送入处理用的区域而使其暴露于处理液。专利本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：/n处理部，其用于利用循环的处理液对基片实施处理，所述处理液的流路中包含含金属材料；/n处理控制部，其控制所述处理部以将所述基片送入所述处理用的区域而使其暴露于所述处理液；和/n吸附控制部，其控制所述处理部以将吸附所述处理液中的金属成分的吸附部件送入所述处理用的区域而使其暴露于所述处理液。/n

【技术特征摘要】
20190108 JP 2019-0013301.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
处理部，其用于利用循环的处理液对基片实施处理，所述处理液的流路中包含含金属材料；
处理控制部，其控制所述处理部以将所述基片送入所述处理用的区域而使其暴露于所述处理液；和
吸附控制部，其控制所述处理部以将吸附所述处理液中的金属成分的吸附部件送入所述处理用的区域而使其暴露于所述处理液。


2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述吸附部件是能够以与所述基片同样的方式配置在配置所述基片的位置的吸附基片。


3.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：
所述处理部包括：
用于利用循环的第1处理液对所述基片实施处理的第1处理部；和
用于利用除去所述金属成分的第2处理液对所述基片实施处理的第2处理部，
所述吸附控制部反复进行吸附控制和清洗控制，其中所述吸附控制控制所述处理部以用所述第1处理部将所述吸附部件暴露于所述第1处理液，所述清洗控制控制所述处理部以用所述第2处理部将所述吸附部件暴露于所述第2处理液。


4.如权利要求3所述的基片处理装置，其特征在于：
还包括送入预定检测部，其基于预先设定的所述基片的处理流程来检测出将所述基片送入所述处理用的区域的送入预定时刻，
所述吸附控制部基于下一个所述送入预定时刻而停止反复进行所述吸附控制和所述清洗控制。


5.如权利要求1～4中的任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述吸附控制部控制所述处理部在所述基片没有暴露于所述处理液的状态经过了规定时间时，将所述吸附部件送入所述处理用的区域。


6.如权利要求1～4中的任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述吸附控制部控制所述处理部以在所述处理液中的金属成分的浓度达到规定水平时将所述吸附部件送入所述处理用的区域。

【专利技术属性】
技术研发人员：百武宏展，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP