测定方法和测定治具技术

本发明专利技术提供一种测定静电吸盘的静电容量的测定方法和测定治具。所述测定方法包括以下工序：使端子与静电吸盘内的电极接触，所述静电吸盘与同地连接的基板接触；固定所述端子、所述静电吸盘和所述基板；利用与所述端子连接的电流计及电压计来测定电流值和电压值；以及基于测定出的所述电流值和所述电压值，根据所述电流值的斜率和/或所述电流值的峰值时的值来判定所述端子与所述电极之间的导通。

【技术实现步骤摘要】
测定方法和测定治具
本公开涉及一种测定方法和测定治具。
技术介绍
以往，提出一种测定静电吸盘的静电容量的方法。例如专利文献1提出：在由静电吸附装置的被保持物体和电极板形成的电路中设置表示吸附状态的参数的检测单元，并利用比较电路比较检测出的数据和预先存储的数据，由此确认吸附状态。例如，专利文献2具有用于监视晶圆与电极之间或吸盘的多个电极间的静电容量的静电容量监视电路。提出：将静电容量测定值用于吸盘动作的连续的闭环控制，根据测定静电容量来调整施加于吸盘的电压。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开平7-211768号公报专利文献2：日本特开2001-308164号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本公开提供一种测定静电吸盘的静电容量的新的方法。用于解决问题的方案根据本公开的一个方式，提供一种测定方法，该测定方法包括以下工序：使端子与静电吸盘内的电极接触，所述静电吸盘与同地连接的基板接触；固定所述端子、所述静电吸盘和所述基板；利用与所述端子连接的电流计及电压计来测定电流值和电压值；以及基于测定出的所述电流值和所述电压值，根据所述电流值的斜率和/或所述电流值的峰值时的值来判定所述端子与所述电极之间的导通。专利技术的效果根据一个方面，能够提供一种测定静电吸盘的静电容量的新的方法。附图说明图1是表示一个实施方式所涉及的基板处理装置的截面示意图。图2是表示一个实施方式所涉及的放电开始电压的测定定时的图。图3是表示一个实施方式所涉及的放电开始电压的测定时序的图。图4是用于说明一个实施方式所涉及的放电开始电压的测定方法的图。图5是表示一个实施方式所涉及的电压值和电流值的实测值的一例的图。图6是表示一个实施方式所涉及的、利用静电容量的吸附力判定处理的流程图。图7是表示一个实施方式所涉及的测定治具的图。图8是表示一个实施方式所涉及的端子的接触判定结果的一例的图。图9是表示一个实施方式所涉及的端子的接触判定处理和放电开始电压的测定处理的流程图。具体实施方式下面，参照附图来说明用于实施本公开的方式。在各附图中，对同一结构部分标注同一标记，有时省略重复的说明。[基板处理装置]首先，参照图1来说明本实施方式所涉及的基板处理装置100的结构。图1是表示一个实施方式所涉及的基板处理装置的一例的截面示意图。本实施方式所涉及的基板处理装置100为电容耦合型的平行平板基板处理装置，具有大致圆筒形的腔室C。腔室C的内表面被实施了铝阳极化处理(阳极氧化处理)。腔室C的内部为利用等离子体进行蚀刻处理等等离子体处理的处理室。在腔室C的底部配置有载置台2。载置台2具有静电吸盘22和基台23。基台23例如由铝(Al)、钛(Ti)、碳化硅(SiC)等形成。静电吸盘22设置于基台23上，用于静电吸附晶圆W。静电吸盘22为在电介质层内具有电极21的构造。电极21与电源14连接。当从电源14向电极21施加直流电压(下面也称作“DC电压”或“HV电压”。)时，晶圆W由于库伦力而被吸附并保持于静电吸盘22。静电吸盘22的外周具有高度差，为载置边缘环8的边缘环载置面。在边缘环载置面载置包围晶圆W的周围的圆环状的边缘环8。边缘环8也被称作聚焦环。边缘环8例如由硅形成，用于朝向晶圆W的表面收敛等离子体，提高等离子体处理的效率。电极24设置于静电吸盘22内的边缘环载置面的下方，与电源17连接。当从电源17向电极24施加DC电压时，能够控制边缘环8上的鞘层厚度，由此能够抑制在晶圆W的边缘部发生的倾斜(tilting)，从而能够控制蚀刻速率。基板处理装置100具有第一高频电源3和第二高频电源4。第一高频电源3为产生第一高频电力(HF)的电源。第一高频电力具有适于生成等离子体的频率。第一高频电力的频率例如为27MHz～100MHz的范围内的频率。第一高频电源3经由匹配器3a来与基台23连接。匹配器3a具有用于使第一高频电源3的输出阻抗与负载侧(基台23侧)的阻抗匹配的电路。此外，第一高频电源3可以经由匹配器3a来与上部电极1连接。第二高频电源4为产生第二高频电力(LF)的电源。第二高频电力具有比第一高频电力的频率低的频率。在与第一高频电力一同使用第二高频电力的情况下，第二高频电力被用作用于向晶圆W吸引离子的偏置用的高频电力。第二高频电力的频率例如为400kHz～13.56MHz的范围内的频率。第二高频电源4经由匹配器4a来与基台23连接。匹配器4a具有用于使第二高频电源4的输出阻抗与负载侧(基台23侧)的阻抗匹配的电路。此外，可以不使用第一高频电力而使用第二高频电力，即只使用单一的高频电力来生成等离子体。在该情况下，第二高频电力的频率可以为比13.56MHz大的频率、例如40MHz。基板处理装置100可以不具备第一高频电源3和匹配器3a。载置台2作为与上部电极1相向的下部电极发挥功能。基台23与开关11连接。当开关11接通时，基台23接地，当开关11断开时，基台23和晶圆W成为浮置状态。隔着覆盖上部电极1的外缘部的屏蔽环(未图示)以封闭腔室C的顶部的开口的方式安装上部电极1。上部电极1接地。上部电极1可以由硅形成。上部电极1具有用于导入气体的气体导入口1a以及供气体扩散的扩散室1b。气体供给部5经由气体导入口1a向扩散室1b供给气体。气体在扩散室1b中扩散从而从多个气体供给孔1c被导入至腔室C内。排气装置16用于将腔室C内的气体从形成于腔室C的底面的排气口排出。由此，能够将腔室C内维持在规定的真空度。在腔室C的侧壁设置有闸阀G。打开闸阀G，针对腔室C进行晶圆W的搬入和搬出。接着，简单地说明基板处理装置100的动作。当打开闸阀G时，将被保持于未图示的搬送臂的晶圆W搬入到腔室C内，并载置于载置台2上，关闭闸阀G。当从电源14向电极21施加DC电压时，晶圆W被静电吸附于静电吸盘22。当从气体供给部5向腔室C内供给处理气体、并从第一高频电源3和第二高频电源4向载置台2施加第一高频电力和第二高频电力时，在腔室C内的晶圆W的上方生成等离子体，从而晶圆W被实施等离子体处理。尤其当从第二高频电源4向载置台2施加第二高频电力时，向晶圆W侧吸引等离子体中的离子。在等离子体处理后，施加与在等离子体处理前从电源14施加于电极21的DC电压正负相反且大小相同的DC电压，从而去除晶圆W的电荷。由此，晶圆W从静电吸盘22剥离，将晶圆W保持于销并交接给搬送臂。当打开闸阀G时，将被保持于搬送臂的晶圆W从闸阀G搬出到腔室C的外部，并关闭闸阀G。基板处理装置100的各结构要素与控制部200连接。控制部200控制基板处理装置100的各结构要素。作为各结构要素，例如能够举出排气装置16、匹配器3a及4a、第一高频电源3、第二高频电源4、开关11、电源14及17以及气体供给部5等。控制部200为具备ROM210、RAM本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种测定方法，包括以下工序：/n使端子与静电吸盘内的电极接触，所述静电吸盘与同地连接的基板接触；/n固定所述端子、所述静电吸盘和所述基板；/n利用与所述端子连接的电流计及电压计来测定电流值和电压值；以及/n基于测定出的所述电流值和所述电压值，根据所述电流值的斜率和/或所述电流值的峰值时的值来判定所述端子与所述电极之间的导通。/n

【技术特征摘要】
20181228 JP 2018-2482741.一种测定方法，包括以下工序：
使端子与静电吸盘内的电极接触，所述静电吸盘与同地连接的基板接触；
固定所述端子、所述静电吸盘和所述基板；
利用与所述端子连接的电流计及电压计来测定电流值和电压值；以及
基于测定出的所述电流值和所述电压值，根据所述电流值的斜率和/或所述电流值的峰值时的值来判定所述端子与所述电极之间的导通。


2.一种测定方法，包括以下工序：
将基板载置于静电吸盘；
向腔室内供给气体；以及
测定在所述腔室内产生气体放电时的放电开始电压值和电流值。


3.一种测定方法，包括以下工序：
将基板载置于静电吸盘；
向腔室内供给气体；
测定在所述腔室内产生气体放电时的放电开始电压值和电流值；以及
基于测定出的所述放电开始电压值和所述电流值，根据所述电流值的斜率和/或所述电流值的峰值时的值来判定所述静电吸盘内的电极与端子之间的导通。


4.根据权利要求2或3所述的测定方法，其特征在于，
还包括根据测定出的所述放电开始电压值和电流值来计算所述静电吸盘的静电容量的工序。


5.根据权利要求2至4中的任一项所述的测定方法，其特征在于，
通过在使所述静电吸盘的基台与所述静电吸盘上的基板浮置的状态下向所述静电吸盘的电极施加电压来产生所述气体放电。


6.根据权利要求2至5中的任一项所述的测定方法，其特征在于，
通过在同所述静电吸盘相向的上部电极与所述静电吸盘之间产生电压差来产生所述气体放电。


7.根据权利要求4至6中的任一项所述的测定方法，其特征在于，
还包括以下工序：将计算出的所述静电吸...

【专利技术属性】
技术研发人员：樫村龙成，佐藤雅纪，纲本哲，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP