基板处理方法及基板处理系统技术方案

提供一种基板处理方法，其能够解决针对基板选择性地进行成膜、以及抑制成膜后的金属残留中的至少一个问题。该基板处理方法包括：提供基板的工序；向所述基板上供给用于与所述基板化学键结的单体的工序；以及向供给有所述单体的所述基板上，供给用于使所述单体聚合的引发剂，并形成聚合物的膜的工序。

【技术实现步骤摘要】
基板处理方法及基板处理系统
本公开涉及一种基板处理方法及基板处理系统。
技术介绍
在半导体装置的制造工序中，为了形成用于构成装置的元件及布线等，进行用于在半导体晶片等基板上形成聚合物的膜的成膜处理。作为这种成膜处理的方法之一，存在一种方法，其在将用于使单体聚合的氧化剂预先涂布或使该氧化剂吸附在基板上的状态下，向基板上供给单体，并在基板上使各个单体气相沉积聚合，从而在基板表面进行聚合物膜的成膜(例如参见专利文献1及专利文献2)。<现有技术文献><专利文献>专利文献1：(日本)特开平10-53651号公报专利文献2：(日本)特表2010-533219号公报
技术实现思路
<本专利技术要解决的问题>本公开的目的在于提供一种基板处理方法，其能够解决针对基板选择性地进行成膜、以及抑制成膜后的金属残留中的至少一个问题。<用于解决问题的手段>为了解决上述问题，根据本公开的一个实施方式，提供一种基板处理方法，包括：提供基板的工序；向所述基本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理方法，包括：/n提供基板的工序；/n向所述基板上供给用于与所述基板化学键结的单体的工序；以及/n向供给有所述单体的所述基板上，供给用于使所述单体聚合的引发剂，并形成聚合物的膜的工序。/n

【技术特征摘要】
20181228 JP 2018-2482461.一种基板处理方法，包括：
提供基板的工序；
向所述基板上供给用于与所述基板化学键结的单体的工序；以及
向供给有所述单体的所述基板上，供给用于使所述单体聚合的引发剂，并形成聚合物的膜的工序。


2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，
所述基板具有2个以上的区域，
所述2个以上的区域中的至少1个区域具有高于氧化硅的介电常数，
所述单体与所述至少1个区域化学键结。


3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，还包括：
在供给所述单体的工序之前，对所述至少1个区域进行氢末端化的工序。


4.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，
所述至少1个区域由选自硅、氢化硅以及氮化硅的至少一种构成。


5.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理方法，其中，
所述单体具有烯基。


6.根据权利要求5所述的基板处理方法，其中，
所述烯基为乙烯基。


7.根据权利要求1至6中任一项所述的基板处理方法，其中，还包括：
在供给所述单体的工序之后，去除所述基板上的残留物的工序。


8.根据权利要求1至7中任一项所述的基板处理方法，其中，
所述单体具有共轭杂环化合物结构。


9.根据权利要求8所述的基板处理方法，其中，
所述共轭杂环化合物结构是具有非共有电子对的结构。


10.根据权利要求9所述的基板处理方法，其中，
构成所述共轭杂环化合物结构的共轭杂环化合物为选自硫杂茂、氮杂茂以及氧杂茂的至少一种共轭杂环化合物。


11....

【专利技术属性】
技术研发人员：浅子竜一，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP