处理装置制造方法及图纸

在未形成等离子体的气氛下对基板进行处理时，能够可靠性较高地对该基板进行吸附，在基板的面内进行均匀性较高的处理。构成具备以下构件的装置：直流电源(35)，其正极侧与静电卡盘(3)的电极(32)和导电构件(4)中的一者连接，负极侧与静电卡盘(3)的电极(32)和导电构件(4)中的另一者连接，用于在处理容器(11)内未形成等离子体的状态下向位于与基板(W)相接的处理位置的导电构件(4)和电极(32)之间施加电压，利用由此产生的静电吸附力使基板(W)吸附于静电卡盘(3)的电介质层(31)；以及处理气体供给部(28)，在使基板(W)吸附于电介质层(31)的状态下，向该基板(W)供给处理气体并进行处理。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】处理装置
本专利技术涉及利用静电卡盘吸附基板并进行处理的处理装置的技术。
技术介绍
在半导体装置的制造工序中，对作为基板的半导体晶圆(以下，记载为晶圆)进行基于CVD(ChemicalVaporDeposirion：化学气相沉积)、ALD(AtomicLayerDeposition：原子层沉积)的成膜。在利用在处理容器内的载置台设置的加热器将载置于该载置台的晶圆加热至预定的温度的状态下供给成膜气体，从而进行这些成膜处理。在向上述的处理容器内输送晶圆时，有时在该晶圆形成翘曲。在将如此形成了翘曲的晶圆载置于上述的载置台的情况下，载置台的热量难以均等地传递至晶圆的面内的各部分。因此，可能会使翘曲进一步变大、在晶圆的面内温度不均匀，在晶圆的面内存在未达到预定的温度的部位，作为在该状态下供给成膜气体的结果，在晶圆的面内膜厚可能不均匀。然而，在对基板进行等离子体处理的装置中，有时构成为：由静电卡盘构成载置台的表面部而静电吸附基板，防止由构成等离子体的离子的入射导致的该基板的温度上升。例如在专利文献1中记载有：在进行等离子体蚀刻时，利用按压机本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种处理装置，其中，/n该处理装置具备：/n静电卡盘，其设于形成真空气氛的处理容器内，该静电卡盘包含电极和覆盖该电极并且表面侧形成基板的吸附区域的电介质层；/n导电构件，其设于所述电介质层的表面侧；/n升降机构，其使所述静电卡盘相对于所述导电构件相对地升降，以使所述静电卡盘分别位于该导电构件与所述基板接触的处理位置和用于向所述静电卡盘输送基板的待机位置；/n直流电源，其正极侧与所述电极和所述导电构件中的一者连接，负极侧与所述电极和所述导电构件中的另一者连接，用于利用向位于所述处理位置的导电构件和所述电极之间施加电压而产生的静电吸附力，在所述处理容器内未形成等离子体的状态下使所述基板吸附于所...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171128 JP 2017-2280111.一种处理装置，其中，
该处理装置具备：
静电卡盘，其设于形成真空气氛的处理容器内，该静电卡盘包含电极和覆盖该电极并且表面侧形成基板的吸附区域的电介质层；
导电构件，其设于所述电介质层的表面侧；
升降机构，其使所述静电卡盘相对于所述导电构件相对地升降，以使所述静电卡盘分别位于该导电构件与所述基板接触的处理位置和用于向所述静电卡盘输送基板的待机位置；
直流电源，其正极侧与所述电极和所述导电构件中的一者连接，负极侧与所述电极和所述导电构件中的另一者连接，用于利用向位于所述处理位置的导电构件和所述电极之间施加电压而产生的静电吸附力，在所述处理容器内未形成等离子体的状态下使所述基板吸附于所述电介质层；以及
处理气体供给部，在使所述基板吸附于所述电介质层的状态下，该处理气体供给部向该基板的表面供给处理气体并进行处理。...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤里敏章，石坂忠大，望月隆，鸟屋大辅，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP