【技术实现步骤摘要】
一种CVD衬底托盘及其拼接方法
本专利技术涉及化学气相沉积
,特别涉及用于化学气相沉积工艺的可组装的衬底托盘。
技术介绍
CVD技术是化学气相沉积ChemicalVaporDeposition的缩写,化学气相沉积是通过化学反应的方式,利用加热或者等离子激励或光辐射等能源,在反应器内使气态或蒸汽的化学物质在气相或者气固界面上经化学反应形成固态沉积的技术。此项技术大量运用于例如硅、氮化镓等半导体材料的成产过程。而托盘作为在气相沉积过程中承载衬底的载具,或被设计成仅承载一片衬底的托盘,或被设计成承载多片衬底的托盘。在当今半导体行业竞争日益激烈的情况下,一件托盘上承载多片衬底的单一整体大尺寸托盘为主要选择,其造价十分昂贵。单一固定大尺寸衬底托盘的价格远高于相应拼接数量的小尺寸衬底载具价格,(据悉,1200*800*5mm尺寸托盘仅原料价格即高达10000元/片,而1200*400*5mm尺寸托盘原料价格则为1500元/片)。在实际CVD工艺过程,托盘的安装、拆卸以及衬底的剥离等,极易对衬底托盘造成损坏,特别对于衬底托盘 ...
【技术保护点】
1.一种CVD衬底托盘由n个衬底载具和n-1个卡持部件组成;所述衬底载具为矩形;所述衬底载具中间设置承载槽;所述卡持部件为条状。/n
【技术特征摘要】
1.一种CVD衬底托盘由n个衬底载具和n-1个卡持部件组成;所述衬底载具为矩形;所述衬底载具中间设置承载槽;所述卡持部件为条状。
2.根据权利要求1所述一种CVD衬底托盘,其特征在于,所述承载槽为正方形、长方形、圆形,其中优选正方形。
3.根据权利要求2所述一种CVD衬底托盘,其特征在于所述承载槽在衬底载具上为单面布置或为背对双面布置。
4.根据权利要求3所述一种CVD衬底托盘,其特征在于所述衬底载具两侧具有拼接槽,相对于衬底载具中心线呈180°旋转呈镜像;所述拼接槽上设置至少一个固定插孔,所述固定插孔为长方形。
5.根据求利要求4所述一种CVD衬底托盘,其特征在于所述拼接槽为楔形、阶梯形;优选阶梯形,所述阶梯形厚度为衬底载具厚度的1/2。
6.根据权利要求1所述一种CVD衬底托盘,其特征在于卡持部件为条状,左右两侧分别由外到内设置一级台阶、二级台阶、三级台阶,中间设有凸起卡瓣;所述中间凸起卡瓣在卡持器中间呈线性分布,且数量、位置、大小与固定插孔...
【专利技术属性】
技术研发人员:蒋立民,董方,江宏富,郄丽曼,王敬强,
申请(专利权)人:协鑫工业设计研究徐州有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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