PE-CVD反应器喷淋板的加热系统技术方案

本发明专利技术公开了一种PE‑CVD反应器喷淋板的加热系统，包括：沿反应器上盖板的周向均布的喷淋板模块，所述喷淋板模块包括喷淋板本体、喷淋板上方绝缘板、喷淋板侧面绝缘筒和喷淋板电加热组件，所述喷淋板本体中的喷淋板基板的上表面沿其周向均布有多个深孔，所述喷淋板电加热组件包括电加热元件、接地屏蔽筒和第一电绝缘套，其中，所述电加热元件一一对应设置于所述深孔内，所述接地屏蔽筒设置于电加热元件的外周，所述第一电绝缘套设置于接地屏蔽筒的外壁与深孔的内壁之间。该PE‑CVD反应器喷淋板的加热系统结构合理、可避免射频对电加热组件产生干扰、可避免电加热方式对射频场产生影响、可实现对喷淋板本体的有效、接近均匀的加热。

【技术实现步骤摘要】
PE-CVD反应器喷淋板的加热系统
本专利技术涉及半导体镀膜设备领域，特别提供了一种PE-CVD反应器喷淋板的加热系统。
技术介绍
随着现代化的技术革新，半导体芯片的需求的日益提升，半导体薄膜设备也迎来了新的挑战。而喷淋板系统是尤为重要的一个关键部分，用于均匀分气、加载射频、控制反应气体的温度以及反应腔室的温度等，其中，对反应气体的温度以及反应腔室的温度的控制尤为重要。现有的半导体镀膜设备中，喷淋板的加热系统通常是油温加热或者电加热，然而，油温加热方式有着比较笨重的油温机以及很长的输送管路，管路过长会损失很多的热量，同时，繁多的油管还会影响设备的整体简洁性和可维护性，电加热方式会在加载电流的时候对射频产生影响，进而对射频场产生影响，因此，需要很复杂的结构设计去屏蔽对射频的影响，同时还需要一个滤波系统，整体比较复杂，另外，这两种方式还有难以控制喷淋板加热的均匀性的问题。因此，如何对现有的喷淋板加热系统进行改进，以解决现有加热系统存在的问题，成为人们亟待解决的问题
技术实现思路
鉴于此，本专利技术的目的在于提供一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.PE-CVD反应器喷淋板的加热系统，其特征在于，包括：沿反应器上盖板(1)的周向均布的喷淋板模块(2)，所述喷淋板模块(2)包括喷淋板本体(21)、喷淋板上方绝缘板(22)、喷淋板侧面绝缘筒(23)和喷淋板电加热组件(24)，所述喷淋板本体(21)包括喷淋板基板(211)和配合设置于喷淋板基板(211)下方的喷淋板面板(212)，所述喷淋板基板(211)的上表面沿其周向均布有多个深孔，所述喷淋板上方绝缘板(22)设置于所述喷淋板基板(211)的上方，所述喷淋板侧面绝缘筒(23)连接于喷淋板上方绝缘板(22)的下方且位于喷淋板本体(21)的外周，所述喷淋板电加热组件(24)包括电加热元件(2...

【技术特征摘要】
1.PE-CVD反应器喷淋板的加热系统，其特征在于，包括：沿反应器上盖板(1)的周向均布的喷淋板模块(2)，所述喷淋板模块(2)包括喷淋板本体(21)、喷淋板上方绝缘板(22)、喷淋板侧面绝缘筒(23)和喷淋板电加热组件(24)，所述喷淋板本体(21)包括喷淋板基板(211)和配合设置于喷淋板基板(211)下方的喷淋板面板(212)，所述喷淋板基板(211)的上表面沿其周向均布有多个深孔，所述喷淋板上方绝缘板(22)设置于所述喷淋板基板(211)的上方，所述喷淋板侧面绝缘筒(23)连接于喷淋板上方绝缘板(22)的下方且位于喷淋板本体(21)的外周，所述喷淋板电加热组件(24)包括电加热元件(241)、接地屏蔽筒(242)和第一电绝缘套(243)，其中，所述电加热元件(241)一一对应设置于所述深孔内，用于向喷淋板本体(21)传导热量，所述接地屏蔽筒(242)设置于电加热元件(241)的外周，用于屏蔽射频电磁波信号，所述第一电绝缘套(243)设置于接地屏蔽筒(242)的外壁与深孔的内壁之间，以避免喷淋板电加热组件(24)与喷淋板基板(211)电接触，同时，满足喷淋板电加热组件(24)与喷淋板基板(211)的热接触。


2.按照权利要求1所述PE-CVD反应器喷淋板的加热系统，其特征在于：所述电加热元件(241)通过电源线(7)与设置于喷淋板模块(2)外部的电源连接。


3.按照权利要求1所述PE-CVD反应器喷淋板的加热系统，其特征在于：所述接地屏蔽筒(242)由喷淋板模块(2)的外部贯穿喷淋板上方绝缘板(22)伸入所述深孔内。


4.按照权利要求3所述PE-CVD反应器喷淋板的加热系统，其特征在于：所述接地屏蔽筒(242)位于喷淋板模块(2)...

【专利技术属性】
技术研发人员：谭华强，
申请(专利权)人：沈阳拓荆科技有限公司，
类型：发明
国别省市：辽宁;21