【技术实现步骤摘要】
晶圆传输装置
本专利技术涉及一种半导体制程设备的晶圆传输装置，特别是一种在使用真空端与大气端之间的负载腔模块中使用分体设计的晶圆支架结构的晶圆传输装置。
技术介绍
在半导体制程设备中，进行晶圆加工时常常需要在真空压力下进行，晶圆在传入或传出反应腔室时，需要一种负载腔模块作为压力在真空与大气状态下的过度环境。为了达到晶圆的正常传递，晶圆的放置在支架上的位置必须满足一定的精度，然而当机械手臂传递晶圆至负载腔模块内的晶圆支架，晶圆在负载腔室内进行处理后，晶圆的位置相对于正常传递位置可能存在一定的偏移。晶圆的加工质量对其表面的颗粒度也有严格的要求。通常所使用的晶圆支架，一类是金属材料支架如铝合金，晶圆与支架接触时产生的颗粒会影响晶圆的最终加工质量；另一类是有机材料如聚醚醚酮(polyetheretherketone，PEEK)，只能承受较低的温度，然而加工后的晶圆通常温度较高，造成支架上与晶圆接触处有软化磨损的情况，进而产生大量的颗粒影响晶圆的最终加工质量。
技术实现思路
鉴于此，本专利技术提供一种经过改...
【技术保护点】
1.一种晶圆传输装置，其特征在于，包含：/n一负载腔模块，具有第一侧与第二侧，在该第一侧与第二侧之间连通形成至少一负载腔室，该负载腔室内设有至少一对晶圆支架，每一晶圆支架包含一主体，该主体平行延伸一对支撑臂，且每一支撑臂上设有一支撑球和一置中限位块；/n还包括一设备前端模块，衔接配置于负载腔模块的第一侧；/n及一转换腔模块，衔接配置于负载腔模块的第二侧。/n
【技术特征摘要】
1.一种晶圆传输装置，其特征在于，包含：
一负载腔模块，具有第一侧与第二侧，在该第一侧与第二侧之间连通形成至少一负载腔室，该负载腔室内设有至少一对晶圆支架，每一晶圆支架包含一主体，该主体平行延伸一对支撑臂，且每一支撑臂上设有一支撑球和一置中限位块；
还包括一设备前端模块，衔接配置于负载腔模块的第一侧；
及一转换腔模块，衔接配置于负载腔模块的第二侧。
2.如权利要求1所述的晶圆传输装置，其特征在于，一对晶圆支架为分体设计，且设置于负载腔室的相对侧壁上。
3.如权利要求1所述的晶圆传输装置，其特征在于，所述的支撑球和置中限位块的材料为单晶体材料。
4.如权利要求1所述的晶圆传输装置，其特征在于，所述的晶圆支架的主体设置于负载腔室的相对侧壁的其中一侧壁。
5.如权利要求4所述的晶圆传输...
【专利技术属性】
技术研发人员：周仁，刘春，王亮，
申请(专利权)人：沈阳拓荆科技有限公司，
类型：发明
国别省市：辽宁;21
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