晶圆承载装置制造方法及图纸

本申请公开了一种晶圆承载装置，包括：第一支撑结构，具有第一支撑面和多个第一吸附孔；设置在所述第一支撑结构上的多个间隔排布的吸盘，用于吸附放置在第一支撑面上的晶圆；与第一吸附孔、吸盘连接的真空装置，使第一吸附孔的内部与吸盘的内腔气压为负压；第一吸附孔调压阀，设置在所述第一吸附孔与所述真空装置之间的气路上；吸盘调压阀，设置在吸盘与真空装置之间的气路上，第一真空孔调压阀和第一吸附孔调压阀分别独立地调节第一吸附孔内的气压和吸盘的腔内气压。通过第一吸附孔调压阀与吸盘调压阀精确地把控了吸附孔与吸盘对晶圆的吸附强度，使得吸盘在减小晶圆弓度值保证吸附孔固定住晶圆的同时，不会因吸盘的吸附力过大造成对晶圆的损伤。

Wafer carrier

【技术实现步骤摘要】
晶圆承载装置
本专利技术涉及半导体
，更具体地，涉及一种晶圆承载装置。
技术介绍
在半导体器件的制造、检测过程中，需要使用晶圆承载装置(chuck)固定晶圆(wafer)。在现有技术中，由于晶圆发生翘曲，晶圆的弓度值(bow)较大导致晶圆表面不平整会对半导体器件的制造与检测带来不良影响。因此希望进一步改进晶圆承载装置，以提高半导体器件的良率。
技术实现思路
鉴于上述问题，本专利技术的目的在于提供一种晶圆承载装置，通过第一吸附孔调压阀与吸盘调压阀精确地把控了吸附孔与吸盘对晶圆的吸附强度，使得吸盘在减小晶圆弓度值保证吸附孔固定住晶圆的同时，不会因吸盘的吸附力过大造成对晶圆的损伤。本专利技术实施例提供了一种晶圆承载装置，包括：第一支撑结构，具有第一支撑面和位于所述第一支撑面内的多个第一吸附孔；多个间隔排布的吸盘，所述吸盘设置在所述第一支撑结构上，用于吸附放置在所述第一支撑面上的晶圆；与所述第一吸附孔、所述吸盘连接的真空装置，用于使所述第一吸附孔的内部与所述吸盘的内腔气压为负压；第一吸附孔调压阀，设置在所述第一吸附孔与所述真空装置之间的气路上；以及吸盘调压阀，设置在所述吸盘与所述真空装置之间的气路上，所述第一吸附孔调压阀和所述吸盘调压阀分别独立地调节所述第一吸附孔内的气压和所述吸盘的腔内气压。可选地，所述第一支撑面包括中心支撑区以及至少一个外围支撑区，所述外围支撑区围绕所述中心支撑区，多个所述吸盘位于所述中心支撑区，多个所述第一吸附孔均匀分布在所述中心支撑区与外围支撑区。可选地，多个所述吸盘呈三角形分布。可选地，所述第一吸附孔调压阀包括：中心调压阀，用于调节位于所述中心支撑区的第一吸附孔内的气压；以及外围调压阀，用于调节位于所述外围支撑区的第一吸附孔内的气压。可选地，所述第一支撑面设有凹槽，所述凹槽穿过所述外围支撑区并延伸到所述中心支撑区中。可选地，所述凹槽的数量包括两个，所述吸盘位于所述两个凹槽之间。可选地，所述第一吸附孔与所述真空装置之间的气路、所述吸盘调压阀与所述真空装置之间的气路在气路汇合处汇合接入所述真空装置。可选地，还包括：机械臂，具有第一吸附结构，所述机械臂可伸入所述凹槽中，所述真空装置还与所述第一吸附结构连接，用于使所述第一吸附结构的内部气压为负压；以及第一吸附结构调压阀，设置在所述第一吸附结构与所述真空装置之间的气路上，所述第一吸附结构与所述真空装置之间的气路经所述气路汇合处接入所述真空装置，所述第一吸附结构调压阀独立地调节所述第一吸附结构的内部气压。可选地，还包括：多个间隔排布的第二支撑结构，所述第二支撑结构自所述第一支撑结构向外突出，每个所述第二支撑结构具有第二支撑面和位于所述第二支撑面内的多个第二吸附孔，所述真空装置还与所述第二吸附孔连接，用于使所述第二吸附孔的内部气压为负压；以及第二吸附孔调压阀，设置在所述第二吸附孔与所述真空装置之间的气路上，所述第二吸附孔与所述真空装置之间的气路经所述气路汇合处接入所述真空装置，所述第二吸附孔调压阀独立地调节所述第二吸附孔内的气压。可选地，还包括：预校准器，具有第二吸附结构，所述真空装置还用于使所述第二吸附结构的内部气压为负压；以及第二吸附结构调压阀，设置在所述第二吸结构与所述真空装置之间的气路上，所述第二吸附结构与所述真空装置之间的气路经所述气路汇合处接入所述真空装置，所述第二吸附结构调压阀独立地调节所述第吸附结构的内部气压。可选地，还包括总调压阀，位于所述气路汇合处，用于控制所述负压的极限。根据本专利技术提供的晶圆承载装置，通过真空装置使第一吸附孔内的气压为负压，从而可以将晶圆固定在第一支撑结构的第一支撑面上，并通过真空装置使吸盘的内腔气压为负压，减小晶圆的弓度值，使得晶圆表面保持平整，从而更利于第一吸附孔对晶圆的吸附固定。该晶圆承载装置分别通过第一吸附孔调压阀与吸盘调压阀独立地调节第一吸附孔内与吸盘内腔的气压，精确地把控了吸附孔与吸盘对晶圆的吸附强度，使得吸盘在减小晶圆弓度值并保证吸附孔固定住晶圆的同时，不会因吸盘的吸附力过大造成对晶圆的损伤。附图说明通过以下参照附图对本专利技术实施例的描述，本专利技术的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚。图1示出了根据本专利技术施例的晶圆承载装置的部分立体结构示意图。图2示出了根据本专利技术施例的晶圆承载装置的控制流程示意图。具体实施方式以下将参照附图更详细地描述本专利技术。在各个附图中，相同的元件采用类似的附图标记来表示。为了清楚起见，附图中的各个部分没有按比例绘制。此外，在图中可能未示出某些公知的部分。在下文中描述了本专利技术的许多特定的细节，例如部件的结构、材料、尺寸、处理工艺和技术，以便更清楚地理解本专利技术。但正如本领域的技术人员能够理解的那样，可以不按照这些特定的细节来实现本专利技术。应当理解，在描述部件的结构时，当将一层、一个区域称为位于另一层、另一个区域“上面”或“上方”时，可以指直接位于另一层、另一个区域上面，或者在其与另一层、另一个区域之间还包含其它的层或区域。并且，如果将部件翻转，该一层、一个区域将位于另一层、另一个区域“下面”或“下方”。图1示出了根据本专利技术施例的晶圆承载装置的部分立体结构示意图。如图1所示，晶圆承载装置包括：第一支撑结构100、多个吸盘200、多个第二支撑结构300、真空装置、总调压阀、第一吸附孔调压阀、第二吸附孔调压阀、吸盘调压阀、第一吸附结构调压阀、第二吸附结构调压阀、机械臂以及预校准器，其中，机械臂与预校准器分别具有第一吸附结构和第二吸附结构，第一吸附结构和第二吸附结构例如为吸盘，机械臂可伸入所述凹槽130中。第一支撑结构100包括第一支撑面110和位于第一支撑面110内的多个第一吸附孔120。多个第一吸附孔120均匀分布在中心支撑区111与外围支撑区112上。本实施例中的外围支撑区112的数量为一个，围绕中心支撑区111。中心支撑区111为圆形，外围支撑区112呈与中心支撑区111同心的圆环。中心支撑区111的直径范围包括100至200mm，外围支撑区112的外径范围包括200至450mm。然而本专利技术实施例并不限于此，本领域技术人员可以根据需要对中心支撑区111与外围支撑区112的直径进行其他设置，从而适应不同晶圆的尺寸。在一些其他实施例中，外围支撑区的数量为多个，并且均呈与中心支撑区111同心的圆环，依次围绕中心支撑区111。第一支撑结构100还包括凹槽130，凹槽130的开口与第一支撑面110的朝向相同，凹槽130穿过外围支撑区112并延伸到中心支撑区111中。在本实施例中，凹槽130的数量包括两个。然而本专利技术实施例并不限于此，本领域技术人员可以根据需要对凹槽130的数量进行其他设置。多个吸盘200的吸附面位于第一支撑面110内，多个吸盘200位于中心支撑区111。在本实施例中，多个吸盘200的数量为3个，呈三角形排布，并且均位于两个凹槽130之间。然而本专利技术实施例并不限于此，本领域技术人员可以根据本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆承载装置，其特征在于，包括：/n第一支撑结构，具有第一支撑面和位于所述第一支撑面内的多个第一吸附孔；/n多个间隔排布的吸盘，所述吸盘设置在所述第一支撑结构上，用于吸附放置在所述第一支撑面上的晶圆；/n与所述第一吸附孔、所述吸盘连接的真空装置，用于使所述第一吸附孔的内部与所述吸盘的内腔气压为负压；/n第一吸附孔调压阀，设置在所述第一吸附孔与所述真空装置之间的气路上；以及/n吸盘调压阀，设置在所述吸盘与所述真空装置之间的气路上，/n所述第一吸附孔调压阀和所述吸盘调压阀分别独立地调节所述第一吸附孔内的气压和所述吸盘的腔内气压。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆承载装置，其特征在于，包括：
第一支撑结构，具有第一支撑面和位于所述第一支撑面内的多个第一吸附孔；
多个间隔排布的吸盘，所述吸盘设置在所述第一支撑结构上，用于吸附放置在所述第一支撑面上的晶圆；
与所述第一吸附孔、所述吸盘连接的真空装置，用于使所述第一吸附孔的内部与所述吸盘的内腔气压为负压；
第一吸附孔调压阀，设置在所述第一吸附孔与所述真空装置之间的气路上；以及
吸盘调压阀，设置在所述吸盘与所述真空装置之间的气路上，
所述第一吸附孔调压阀和所述吸盘调压阀分别独立地调节所述第一吸附孔内的气压和所述吸盘的腔内气压。


2.根据权利要求1所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述第一支撑面包括中心支撑区以及至少一个外围支撑区，所述外围支撑区围绕所述中心支撑区，
多个所述吸盘位于所述中心支撑区，多个所述第一吸附孔均匀分布在所述中心支撑区与外围支撑区。


3.根据权利要求2所述的晶圆承载装置，其特征在于，多个所述吸盘呈三角形分布。


4.根据权利要求2所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述第一吸附孔调压阀包括：
中心调压阀，用于调节位于所述中心支撑区的第一吸附孔内的气压；以及
外围调压阀，用于调节位于所述外围支撑区的第一吸附孔内的气压。


5.根据权利要求2所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述第一支撑面设有凹槽，所述凹槽穿过所述外围支撑区并延伸到所述中心支撑区中。


6.根据权利要求5所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述凹槽的数量包括两个，所述吸盘位于所述两个凹槽之间。


7.根据权利要求5所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述第一吸附孔与所述真空装置之间的气路、所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈辉，张文杰，杨震，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42