长江存储科技有限责任公司专利技术

长江存储科技有限责任公司共有2945项专利

  • 本申请提供了一种吸盘装置及化学机械研磨设备。该吸盘装置包括:密封防护罩;膜组件,设置于所述箱式密封防护罩下侧,所述膜组件内具有内腔;气动组件,设置于所述箱式密封防护罩内、并通过气管与所述膜组件的内腔连通,所述气管的材料为透光材料;以及探...
  • 本申请公开了一种连接件、测试设备及晶圆的测试方法,连接件包括连接部以及安装部,连接部包括多个承载面,各承载面均可用于承载待测样品,安装部至少部分位于所有承载面之间,且安装部的延伸方向包括平行于任一承载面的分量。该设计通过在连接件的连接部...
  • 本申请公开了三维存储器的制备方法,包括:刻蚀在衬底上形成的堆叠结构,形成贯穿堆叠结构的沟道孔,其中,堆叠结构包括沿垂直于衬底的方向交替堆叠的层间绝缘层和牺牲层,层间绝缘层为氧化硅层,牺牲层为氮化硅层;刻蚀堆叠结构,形成贯穿堆叠结构的沟道...
  • 本公开的一方面提供了一种三维存储器,三维存储器包括键合至彼此的外围晶圆和阵列晶圆。外围晶圆包括用于阵列晶圆的外围电路。阵列晶圆包括:待测试结构,包括第一测试端和第二测试端;第一测试互连结构和第二测试互连结构,分别连接至第一测试端和第二测...
  • 本申请实施例提供的聚焦环,用于半导体器件的刻蚀,聚焦环包括上部聚焦环以及下部聚焦环。本申请实施例提供的聚焦环通过在下部聚焦环上形成凹槽,凹槽能够反射半导体器件刻蚀过程中的反应生成物,被反射的反应生成物一部分被真空泵抽走,从而具有减少反应...
  • 本申请提供了一种三维存储器及其制造方法。所述方法包括:提供第一衬底;在所述第一衬底上依次形成牺牲层和叠层结构;形成贯穿所述叠层结构并延伸进入所述牺牲层的沟道结构,所述沟道结构包括存储膜和沟道层;刻蚀去除所述第一衬底和所述牺牲层以及部分所...
  • 本公开实施例公开了一种半导体器件的制作方法。所述方法包括:形成覆盖衬底的第一掩膜层;形成贯穿第一掩膜层、且底部停留在衬底内的隔离结构;其中,隔离结构的顶部宽度大于隔离结构的底部宽度;形成覆盖第一掩膜层和隔离结构的第二掩膜层;在第二掩膜层...
  • 本公开实施例公开了一种半导体器件的测试结构及其制作方法以及存储器。所述测试结构包括:第一半导体结构,包括:控制电路;第二半导体结构,位于所述第一半导体结构之上,包括:位于衬底和所述第一半导体结构之间的导电结构;其中,所述导电结构与所述衬...
  • 本申请提供了一种三维存储器及其制造方法。所述方法包括:形成掩膜层,所述掩膜层包括沿第一方向延伸的第一开口;所述第一开口包括沿第一方向交替设置的第一部分和第二部分;通过所述第一开口对堆叠结构进行刻蚀,形成对应于第一部分的第一沟槽和对应于第...
  • 本申请实施例提供一种冷却系统,包括工作设备、第一冷却介质源、第二冷却介质源、第一切换组件、第二切换组件以及防错装置,工作设备具有第一入口和第一出口,第一入口通过第一切换组件分别与第一冷却介质源和第二冷却介质源选择性地连通,第一出口通过第...
  • 本申请公开了一种用于数据接口的数据输出驱动器的校准电路,该校准电路包括:控制电路,配置成根据校准时钟信号和校准开始信号在第一时间段生成第一控制信号;电压发生单元,配置成根据所述第一控制信号生成第一参考电压;代码生成单元,配置成根据所述第...
  • 本发明提供了一种闪存存储器的操作方法以及闪存存储器,闪存存储器包括多个多位存储单元,均可被编程于多阶编程阈值电压其中之一阶,多阶编程阈值电压具有对应的各阶电压值分布区以及各阶预定读取电压,该操作方法包括:检测多阶编程阈值电压中的目标阶编...
  • 本申请提供了一种形成轨道检测模型的方法、检测轨道磨损的方法。该形成轨道检测模型的方法包括:接收沿轨道行进的拍摄装置获取的原始图片,其中原始图片包括轨道图像;对原始图片进行数据增广,得到多张增广图片;对多张增广图片中的轨道图像的正常区域和...
  • 本申请提供了一种半导体结构及其制备方法。制备半导体结构的方法包括:刻蚀半导体衬底以形成多个分立的初始鳍部,所述初始鳍部包括分立的第一初始鳍部和第二初始鳍部;形成隔离结构,以覆盖半导体衬底并暴露出初始鳍部中第一初始鳍部的顶面,且隔离结构的...
  • 本申请提供了一种检测三维存储器的方法,该方法包括:部分移除衬底以暴露至少两个沟道结构的存储膜的一部分,以形成至少两个刻蚀区;向至少两个刻蚀区执行第一刻蚀,其中,第一刻蚀被配置为能够刻蚀掉沟道层与第一刻蚀的刻蚀材料接触到的部分;在执行第一...
  • 本发明提供一种半导体结构处理机台及操作方法、静电吸盘,包括:静电吸盘,静电吸盘包括贯穿静电吸盘的第一贯穿孔;传输通道,传输通道与第一贯穿孔连通,以允许第一物质在操作中经由传输通道到达第一贯穿孔;第一冷却装置,第一冷却装置包括不同于第一物...
  • 本申请提供了一种控制存储器系统的方法、计算机装置以及存储介质。该控制存储器系统的方法包括:从存储器系统获取映射表,并将至少部分映射表压缩处理后缓存于主机存储器中;以及将缓存的映射表解压缩处理,并根据解压缩处理后的映射表,控制存储器系统执...
  • 本申请提供了一种三维存储器及其制备方法。该方法包括:在衬底上形成存储叠层结构以及形成贯穿存储叠层结构的存储沟道结构;形成层叠在存储叠层结构的选择叠层结构以及形成贯穿选择叠层结构并与存储沟道结构连接的选择沟道结构,其中,在平行于衬底的平面...
  • 本申请提供了一种三维存储器及其制备方法,该方法包括:在衬底上形成包括交替堆叠的电介质层和牺牲层的叠层结构;形成贯穿叠层结构并延伸至衬底的栅线缝隙;对栅线缝隙进行填充,以形成填充层;去除位于栅线缝隙顶部的填充层,以形成沟槽;在叠层结构远离...
  • 本申请公开了一种辅助测量电路及半导体器件电信号测量方法,辅助测量电路包括:待测电信号的输入端;连接至测量单元的第一电信号通道;以及超量程测量模块。超量程测量模块连接于待测电信号的输入端与第一电信号通道之间,并包括:校准系数确定单元,包括...
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