一种晶圆表面的清洗方法技术

本发明专利技术公开了一种晶圆表面的清洗方法。包括步骤：提供晶圆，所述晶圆表面具有low‑k薄膜沉积；对所述晶圆表面进行清洗工艺；晶圆清洗后的晶圆表面反复循环使用。采用该方法，可以有效且低成本的实现晶圆的循环使用，简单易行，且循环使用的成功率较高，为介电材料，尤其是low‑k或多孔材料的开发提供重要的支持。

A cleaning method of wafer surface

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆表面的清洗方法
本专利技术属于晶圆清洗工艺方法
，涉及一种晶圆表面的的清洗方法。
技术介绍
随着半导体工艺制程的降低，电子器件的尺寸也在不断降低，随即带来的就是信号的延迟，即RC延迟，这一延迟大大降低了半导体器件的性能，为了降低RC延迟，工艺中用金属铜代替了铝，而且低介电常数的介质材料也就成为研究的关键；在low-k薄膜的开发中，薄膜沉积在晶圆表面，所以晶圆的反复循环使用至关重要。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种晶圆表面清洗方法，达到实现循环晶圆的目的。为解决上述问题，本专利技术提供晶圆表面清洗方法，包括步骤：提供晶圆，所述晶圆表面具有low-k薄膜沉积；对所述晶圆表面进行清洗工艺；晶圆清洗后的晶圆表面反复循环使用。可选的，所述清洗工艺为至少一次清洗。可选的，所述low-k薄膜中以Si-O-Si为骨架，掺杂物为饱和或不饱和脂肪烃或芳香烃链段。进一步地，所述掺杂物为-CH3链段。可选的，所述清洗工艺依次包括如下步骤：步骤a.通过本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆表面清洗方法，其特征在于，包括步骤：/n提供晶圆，所述晶圆表面具有low-k薄膜沉积；/n对所述晶圆表面进行清洗工艺；/n晶圆清洗后的晶圆表面反复循环使用。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆表面清洗方法，其特征在于，包括步骤：
提供晶圆，所述晶圆表面具有low-k薄膜沉积；
对所述晶圆表面进行清洗工艺；
晶圆清洗后的晶圆表面反复循环使用。


2.根据权利要求1所述的一种晶圆表面清洗方法，其特征在于，所述清洗工艺为至少一次清洗。


3.根据权利要求1所述的一种晶圆表面清洗方法，其特征在于，所述low-k薄膜中以Si-O-Si为骨架，掺杂物为饱和或不饱和脂肪烃或芳香烃链段。


4.根据权利要求2所述的一种晶圆表面清洗方法，其特征在于，所述清洗工艺采用氢氟酸清洗与等离子体刻蚀结合的方式。


5.根据权利要求4所述的一种晶圆表面清洗方法，其特征在于，所述等离子体刻蚀步骤在沉积腔体内发生。


6.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：林轩宇，王晓晨，柳雪，
申请(专利权)人：沈阳拓荆科技有限公司，
类型：发明
国别省市：辽宁;21