远程氮等离子体掺杂过渡金属硫族化合物的方法技术

本发明专利技术属于光电和电子器件材料技术领域，具体为远程氮等离子体掺杂过渡金属硫族化合物的方法。本发明专利技术方法包括：制备单层或少层的过渡金属硫族化合物；将过渡金属硫族化合物样品放入远程氮等离子体装置；体系采用高真空系统，压力为<10

Long range nitrogen plasma doping of transition metal chalcogenides

【技术实现步骤摘要】
远程氮等离子体掺杂过渡金属硫族化合物的方法
本专利技术属于光电和电子器件材料
，具体涉及氮掺杂的过渡金属硫族化合物的制备方法。
技术介绍
过渡金属硫族化合物（TMD）具有非零的带隙、高的导电性和迁移率、良好的化学和热稳定性，以及杰出的机械强度等性质，在光电和电子器件领域具有广泛的应用。由于天然的硫缺陷的存在，通常制备的二硫化钼MoS2的场效应晶体管仅仅表现出n型的电学性质。为了实现同质结或异质结的制备，需要对MoS2进行p型的掺杂。目前实现二硫化钼p型掺杂的方法有很多，比较常用的是表面电荷转移掺杂和取代掺杂。表面电荷转移掺杂来自于吸附在MoS2表面的材料和MoS2之间的电子交换。这种掺杂不改变MoS2的结构，但由于掺杂分子与MoS2未形成共价键，所以此类掺杂一般不能持久稳定。取代掺杂是另外一种有效的实现MoS2掺杂的方法，MoS2晶格中的Mo或S原子被不同价电子的其它原子取代。这种方式的掺杂原子存在于MoS2晶格中，但是MoS2的主要晶体结构保持，此类方法可以实现MoS2稳定且可控的掺杂。取代掺杂目前比较常用处理方法有热处理法和等本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种远程氮等离子体掺杂过渡金属硫族化合物的方法，其特征在于，具体步骤为：/n（1）采用机械剥离或者化学气相沉积法制备单层或少层的过渡金属硫族化合物；/n（2）将过渡金属硫族化合物样品放入远程氮等离子体装置，样品位置距等离子体产生辉光的尾部为0~60 cm；体系采用高真空系统，压力为<10

【技术特征摘要】
1.一种远程氮等离子体掺杂过渡金属硫族化合物的方法，其特征在于，具体步骤为：
（1）采用机械剥离或者化学气相沉积法制备单层或少层的过渡金属硫族化合物；
（2）将过渡金属硫族化合物样品放入远程氮等离子体装置，样品位置距等离子体产生辉光的尾部为0~60cm；体系采用高真空系统，压力为<10-3Pa，通入氮气，在功率为1~1000W的条件下处...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙正宗，轩宁宁，包文中，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：上海;31