【技术实现步骤摘要】
一种用于高深宽比图形晶圆的微幅震动方法
本专利技术涉及晶圆干燥
，具体为一种用于高深宽比图形晶圆的微幅震动方法。
技术介绍
在半导体制造领域中，湿法工艺占有相当庞大的份额，然而湿法工艺最后的区段需要依赖一晶圆干燥的工艺，完成湿法清洗工艺的动作后不仅需要对清洗后的晶圆维持洁净度，也需能充分的移除晶圆表面残余的水分子或是使用干燥工艺的各种有机溶剂或是其它相关溶剂的残留。在一些特定的晶圆的微结构图案，在图案化结构之下会有大范围或是不同层度空孔区域腔式结构，在这些图案化结构结构分布紧凑，进行晶圆清洗后干燥时会因为毛细现象的作用促使部分的水分子或式残液由该吸引力的作用渗入高深宽比的空孔结构，然而现有的干燥方法无法将该部分区域的水分子的残留移除。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供了一种能够移除具有高深宽比图形的晶圆内空乏区的水分的微幅震动方法。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种用于高深宽比图形晶圆的微幅震动方法，提供一晶圆干燥装置和若干图形晶圆片，所述晶圆干燥装置包括干燥腔室、用于放...
【技术保护点】
1.一种用于高深宽比图形晶圆的微幅震动方法，其特征在于，提供一晶圆干燥装置和若干图形晶圆片，所述晶圆干燥装置包括干燥腔室、用于放置晶圆的晶圆容纳室以及恒温恒压气体供应器，所述干燥腔室被设置为用于保留一种气体，所述干燥腔室包括第一入口和第一出口以及从所述第一入口延伸至第一出口的内壁结构，所述晶圆容纳室设置于干燥腔室内部，且包括若干与晶圆片相匹配的洗涤槽；所述恒温恒压气体供应器用于提供恒定温度的惰性干燥气体并使其在恒定压力下沿干燥腔室内部形成的气体流通路径进行流动，所述干燥腔室还包括一用于向干燥腔室内部通入异丙醇液体的第三入口以及用于排出异丙醇的第三出口，所述第三入口和第三出口...
【技术特征摘要】
1.一种用于高深宽比图形晶圆的微幅震动方法，其特征在于，提供一晶圆干燥装置和若干图形晶圆片，所述晶圆干燥装置包括干燥腔室、用于放置晶圆的晶圆容纳室以及恒温恒压气体供应器，所述干燥腔室被设置为用于保留一种气体，所述干燥腔室包括第一入口和第一出口以及从所述第一入口延伸至第一出口的内壁结构，所述晶圆容纳室设置于干燥腔室内部，且包括若干与晶圆片相匹配的洗涤槽；所述恒温恒压气体供应器用于提供恒定温度的惰性干燥气体并使其在恒定压力下沿干燥腔室内部形成的气体流通路径进行流动，所述干燥腔室还包括一用于向干燥腔室内部通入异丙醇液体的第三入口以及用于排出异丙醇的第三出口，所述第三入口和第三出口均设置在干燥腔室内远离第一入口的一侧；
微幅震动方法包括：
步骤S1、将待干燥的图形晶圆片置入晶圆容纳室内并使每个晶圆片均置入对应的洗涤槽内且相互之间间隔以形成晶圆片间隙；
步骤S2、在第三出口关闭状态下打开第三入口向干燥腔室内部通入异丙醇液体直至晶圆容纳室内每个晶圆片均完全浸入在异丙醇液体中时关闭第三入口，持续1-3min使异丙醇分子与晶圆片上的水分子完全相容后打开第三出口使异丙醇液体完全排出后关闭第三出口；
步骤S3、将恒温恒压气体供应器的输出端口与第一入口密封连接并使第一入口按照通气调整策略向干燥腔室内部通入恒温恒压热氮气以利用热氮气气相与异丙醇液相的两相融合与相变化使晶圆片表面的水分在挥发点之前就被移除晶圆表面；
步骤S4、惰性干燥气体经第一入口沿经过晶圆片的至少三条气体流通路径流动至干燥腔室内远离第一入口的一侧，并于该一侧流入夹层区的内部；
步骤S5、惰性干燥气体在夹层区内远离第一入口一侧流入至靠近第一入口另一侧后经由第一出口排出；
所述微幅震动方法还包括在晶圆容纳室底部设置一能够使晶圆容纳室围绕一支撑进行微幅摆动的振动结构，并使其在步骤S3的过程中进行微幅摆动以破坏图形晶圆片内水分子其孔隙结构的表面张力以使其孔隙结构内的水分子被析出。
2.根据权利要求1所述的一种用于高深宽比图形晶圆的微幅震动方法，其特征在于：所述内壁结构包括夹层区，所述夹层区有...
【专利技术属性】
技术研发人员：邓信甫，李志峰，王雪松，陈佳炜，徐铭，
申请(专利权)人：至微半导体上海有限公司，江苏启微半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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