减少硅片表面图形缺陷的清洗方法技术

本发明专利技术公开了一种减少硅片表面图形缺陷的清洗方法，包括如下步骤：步骤1，使用双氧水溶液对旋转的待清洗硅片进行预处理，使所述待清洗硅片的表面产生一层均匀的双氧水水膜；步骤2，利用硫酸溶液对所述待清洗硅片进行清洗。本发明专利技术在使用硫酸溶液处理硅片之前，预先采用双氧水溶液使硅片表面形成均匀的水膜，在后续加入硫酸的过程中，硅片上的水膜会缓冲硫酸的冲力，使硅片表面的双氧水水膜缓慢温和地替换成为硫酸双氧水水膜，这就使得硅片表面水膜的过渡比较温和，可以有效地保护图形，避免硫酸下酸过程的冲力和放热造成硅片表面出现图形塌陷的缺陷，同时也可以保证清洗效率，提高半导体器件的良率及可靠度。

Cleaning method to reduce the surface defects of silicon wafer

【技术实现步骤摘要】
减少硅片表面图形缺陷的清洗方法
本专利技术涉及半导体制造
，具体属于一种减少硅片表面图形缺陷的清洗方法，主要用于去除硅镍金属的清洗工艺。
技术介绍
在集成电路制造技术中，随着半导体集成工艺的发展，半导体产品技术节点越来越小，进入28/20nm技术节点以后，由于工艺复杂性提高，在先前技术节点中对产品良率没有影响的材料损失(如低介电材料与金属导线铜损耗)与残留缺陷可能进入28nm技术节点以后对产品良率及可靠度有着重大的影响。例如，在先前技术节点的MOS晶体管工艺中，为了改善晶体管的栅极、源极和漏极与填充塞(plug)之间的欧姆接触，通常会在栅极、源极和漏极的表面形成金属硅化物。目前，大多利用自对准金属硅化物(Self-AlignedSilicide)工艺来形成金属硅化物。具体来说，在形成源极和漏极之后，在源极、漏极和栅极上方形成由钴、钛或镍等构成的金属层，然后通过一步或多步快速退火处理(RTA)，使金属层与栅极、源极和漏极中的硅反应，形成低电阻率的金属硅化物。在形成金属硅化物之后，还需要采用湿法清洗工艺去除未与衬底中的硅反应的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种减少硅片表面图形缺陷的清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤1，使用双氧水溶液对旋转的待清洗硅片进行预处理，使所述待清洗硅片的表面产生一层均匀的双氧水水膜；/n步骤2，利用硫酸溶液对所述待清洗硅片进行清洗。/n

【技术特征摘要】
1.一种减少硅片表面图形缺陷的清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1，使用双氧水溶液对旋转的待清洗硅片进行预处理，使所述待清洗硅片的表面产生一层均匀的双氧水水膜；
步骤2，利用硫酸溶液对所述待清洗硅片进行清洗。


2.根据权利要求1所述的减少硅片表面图形缺陷的清洗方法，其特征在于，在步骤1中，所述双氧水溶液的浓度为25％～35％。


3.根据权利要求1所述的减少硅片表面图形缺陷的清洗方法，其特征在于，在步骤1中，所述双氧水溶液的流量为250sccm/min～300sccm/min。


4.根据权利要求1所述的减少硅片表面图形缺陷的清洗方法，其特征在于，在步骤1中，所述双氧水溶液的温度为20℃～30℃。


5.根据权利要求1所述的减少硅片表面图形缺陷的清洗方法，其特征在于，在步骤1中...

【专利技术属性】
技术研发人员：李翔，谢玟茜，刘立尧，胡展源，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31