【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造工艺监测,特别涉及一种便于定位金属连线短路位置的测试结构及测试方法。
技术介绍
1、在半导体先进制程的研发和生产过程中,金属互连层上的短路缺陷已成为影响芯片良率和可靠性的关键因素。针对metal short(金属短路)的失效分析,难点在于如何精确定位短路的位置,特别是对于先进制程,金属短路(metal short)缺陷的尺寸越来越小,往往是纳米级缺陷(defect)。此类缺陷不仅直接影响芯片良率,更因其随机性和微观性,成为制约工艺开发与量产效率的核心瓶颈。目前,通过设计特定的测试结构(test key)进行工艺监测是行业内通用手段。
2、以监测mn层(第n层金属互联层)短路的测试结构为例,测试结构通常通过snake(蛇形结构)、comb(梳状结构)或chain(链式结构)将mn层和mn+1层连接起来,再通过电性测试(如电阻值或短路电流)判断mn层上是否存在短路。然而,当判断完mn层上存在短路之后,由于mn层上的金属线相互独立且处于浮空(floating)状态,缺乏与外部电路的直接电学连接,导致失效分析
...【技术保护点】
1.一种便于定位金属连线短路位置的测试结构,其特征在于,包括蛇形结构、梳状结构、PN节、第一焊盘和第二焊盘;
2.如权利要求1所述的便于定位金属连线短路位置的测试结构,其特征在于,所述梳状结构通过所述梳柄金属线与所述第二焊盘连接。
3.如权利要求2所述的便于定位金属连线短路位置的测试结构,其特征在于,所述测试结构包括位于第n+1金属层的第二连接金属线,所述梳柄金属线与所述第二焊盘连接的方式是:所述梳柄金属线通过一个第n通孔与所述第二连接金属线连接,所述第二连接金属线与所述第二焊盘连接。
4.如权利要求1所述的便于定位金属连线短路位置
...【技术特征摘要】
1.一种便于定位金属连线短路位置的测试结构,其特征在于,包括蛇形结构、梳状结构、pn节、第一焊盘和第二焊盘;
2.如权利要求1所述的便于定位金属连线短路位置的测试结构,其特征在于,所述梳状结构通过所述梳柄金属线与所述第二焊盘连接。
3.如权利要求2所述的便于定位金属连线短路位置的测试结构,其特征在于,所述测试结构包括位于第n+1金属层的第二连接金属线,所述梳柄金属线与所述第二焊盘连接的方式是:所述梳柄金属线通过一个第n通孔与所述第二连接金属线连接,所述第二连接金属线与所述第二焊盘连接。
4.如权利要求1所述的便于定位金属连线短路位置的测试结构,其特征在于,所述蛇形结构通过所述长金属线与所述第一焊盘连接,所述蛇形结构通过所述第n-1金属线与所述pn节连接。
5.如权利要求4所述的便于定位金属连线短路位置的测试结构,其特征在于,所述测试结构包括位于第n+1金属层的第一连接金属线,所述长金属线与所述第一焊盘连接的...
【专利技术属性】
技术研发人员:曹茂庆,丁德建,李明,高金德,
申请(专利权)人:上海华力集成电路制造有限公司,
类型:发明
国别省市:
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