单晶粒减薄背面金属化方法技术

本发明专利技术公开了单晶粒减薄背面金属化方法，包括如下步骤：步骤一：把单晶粒用双面胶带粘在衬底晶圆上，晶粒的正面朝上；步骤二：做晶圆级塑封，将所有的晶粒包封在环氧树脂里面，这样制作出树脂晶圆；步骤三：树脂晶圆再用双面胶带粘在衬底晶圆上；步骤四：树脂晶圆背面减薄；步骤五：树脂晶圆背面腐蚀；步骤六：树脂晶圆背面金属化；步骤七：将树脂同晶粒分开，以此来实现单晶粒的减薄和背面金属化。本发明专利技术将单晶粒整合成晶圆状；这样才好利用现有的设备进行加工，且减薄和金属化效率高。

Method of metallization on the back of single crystal grain thinning

【技术实现步骤摘要】
单晶粒减薄背面金属化方法
本专利技术涉及晶粒制备
，特别涉及单晶粒减薄背面金属化方法。
技术介绍
传统的减薄背面金属化都是基于整片晶圆来加工的，其大致流程如下：步骤一：晶圆正面贴膜；步骤二：晶圆背面减薄；步骤三：晶圆背面腐蚀及揭膜；步骤四：晶圆背面金属化蒸发。但实际上，有时需要对单晶粒(即晶圆划片之后的晶粒)进行减薄和背面金属化，之前传统的晶圆减薄背面金属化制程就不适用了由于目前的加工都是基于整片晶圆来进行的，所以对单晶粒加工都不合适；因此要对单晶粒进行减薄和背面金属化加工，需将单晶粒整合成晶圆状；这样才好利用现有的设备进行加工。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于针对上述现有技术所存在的问题而提供一种单晶粒减薄背面金属化方法。本专利技术所要解决的技术问题可以通过以下技术方案来实现：单晶粒减薄背面金属化方法，包括如下步骤：步骤一：把单晶粒用双面胶带粘在衬底晶圆上，晶粒的背面朝下(晶粒的正面朝上)，晶粒的背面粘附在双面胶带上，做成粘附有晶粒的衬底晶圆；步骤二：对步骤一做成的粘附有晶粒的衬底晶圆进行晶圆级塑封，将所有的晶粒包封在环氧树脂里面，这样制作出树脂晶圆；步骤三：将步骤二的树脂晶圆与所述衬底晶圆分开，形成独立的树脂晶圆；步骤四：将步骤三制作出的树脂晶圆中露出晶粒背面的那一面朝上采用双面胶带粘在所述衬底晶圆上；步骤五：对步骤四的树脂晶圆中露出晶粒背面的那一面进行减薄处理，减薄至要求的厚度；步骤六：对步骤五减薄后的树脂晶圆中露出晶粒背面的那一面进行蚀刻，使得树脂面与晶粒表面之间形成比较高的台阶；步骤七：对步骤六蚀刻后的树脂晶圆中露出晶粒背面的那一面进行金属化处理，树脂面上的金属层与晶粒表面上的金属层不连接在一起；步骤八：对步骤七金属化后的树脂晶圆中的树脂与晶粒进行剥离，得到减薄和金属化后的晶粒。在本专利技术的一个优选实施例中，所述步骤一采用如下方法替代：把单晶粒用双面胶带粘在衬底晶圆上，晶粒的背面朝上，晶粒的正面粘附在双面胶带上，做成粘附有晶粒的衬底晶圆；取消步骤三和步骤四，所述步骤五采用如下方法替代：直接研磨树脂层达到要求的厚度；其余步骤同上。由于采用了如上的技术方案，本专利技术将单晶粒整合成晶圆状；这样才好利用现有的设备进行加工，且减薄和金属化效率高。附图说明图1为本专利技术步骤一的示意图。图2为本专利技术步骤二的示意图。图3为本专利技术步骤三的示意图。图4为本专利技术步骤三的树脂晶圆顶部示意图。图5为本专利技术步骤三的树脂晶圆底部示意图。图6为本专利技术步骤四的示意图。图7为本专利技术步骤六的示意图。图8为本专利技术步骤七的示意图。图9为本专利技术步骤八的示意图。具体实施方式以下结合附图和具体实施方式来进一步描述本专利技术。本专利技术的单晶粒减薄背面金属化方法，包括如下步骤：步骤一：参见图1，把单个晶粒10用双面胶带20粘在衬底晶圆30上，晶粒10的背面11朝下做成粘附有晶粒的衬底晶圆；步骤二：参见图2，对步骤一做成的粘附有晶粒的衬底晶圆进行晶圆级塑封，将所有的晶粒10包封在环氧树脂40里面，这样制作出树脂晶圆50；步骤三：参见图3至图5，将步骤二的树脂晶圆50与衬底晶圆30分开，形成独立的树脂晶圆50；这样就将晶粒10整合到树脂晶圆50中且晶粒10的背面11露出树脂层，便于后续加工；步骤四：参见图6，将步骤三制作出的树脂晶圆50中露出晶粒10背面11的那一面51朝上采用双面胶带20粘在衬底晶圆30上；步骤五：使用晶圆减薄设备对步骤四的树脂晶圆50中露出晶粒10背面11的那一面51进行减薄处理，减薄至要求的厚度；步骤六：参见图7，选择硅的刻蚀速率比塑料了的刻蚀速率高的刻蚀技术对步骤五减薄后的树脂晶圆50中露出晶粒10背面11的那一面51进行蚀刻，使得树脂面51与晶粒10背面11之间形成比较高的台阶；步骤七：参见图8,对步骤六蚀刻后的树脂晶圆50中露出晶粒10背面11的那一面51进行金属化处理，树脂面51上的金属层61与晶粒10背面11上的金属层62不连接在一起；步骤八：参见图9，用化学或者物理方法对步骤七金属化后的树脂晶圆50中的树脂与晶粒10进行剥离，得到减薄和金属化后的晶粒10a。上述单晶粒减薄背面金属化方法中的有些步骤还可以采用如下方法处理：步骤一采用如下方法替代：把单晶粒10用双面胶带粘20在衬底晶圆30上，晶粒10的背面11朝上，晶粒10的正面粘附在双面胶带20上，做成粘附有晶粒的衬底晶圆50；取消步骤三和步骤四，步骤五采用如下方法替代：直接研磨树脂层达到要求的厚度；其余步骤同上。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.单晶粒减薄背面金属化方法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤一：把单晶粒用双面胶带粘在衬底晶圆上，晶粒的正面朝上做成粘附有晶粒的衬底晶圆；/n步骤二：对步骤一做成的粘附有晶粒的衬底晶圆进行晶圆级塑封，将所有的晶粒包封在环氧树脂里面，这样制作出树脂晶圆；/n步骤三：将步骤二的树脂晶圆与所述衬底晶圆分开，形成独立的树脂晶圆；/n步骤四：将步骤三制作出的树脂晶圆中露出晶粒背面的那一面朝上采用双面胶带粘在所述衬底晶圆上；/n步骤五：对步骤四的树脂晶圆中露出晶粒背面的那一面进行减薄处理，减薄至要求的厚度；/n步骤六：对步骤五减薄后的树脂晶圆中露出晶粒背面的那一面进行蚀刻，使得树脂面与晶粒表面之间形成比较高的台阶；/n步骤七：对步骤六蚀刻后的树脂晶圆中露出晶粒背面的那一面进行金属化处理，树脂面上的金属层与晶粒表面上的金属层不连接在一起；/n步骤八：对步骤七金属化后的树脂晶圆中的树脂与晶粒进行剥离，得到减薄和金属化后的晶粒。/n

【技术特征摘要】
1.单晶粒减薄背面金属化方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一：把单晶粒用双面胶带粘在衬底晶圆上，晶粒的正面朝上做成粘附有晶粒的衬底晶圆；
步骤二：对步骤一做成的粘附有晶粒的衬底晶圆进行晶圆级塑封，将所有的晶粒包封在环氧树脂里面，这样制作出树脂晶圆；
步骤三：将步骤二的树脂晶圆与所述衬底晶圆分开，形成独立的树脂晶圆；
步骤四：将步骤三制作出的树脂晶圆中露出晶粒背面的那一面朝上采用双面胶带粘在所述衬底晶圆上；
步骤五：对步骤四的树脂晶圆中露出晶粒背面的那一面进行减薄处理，减薄至要求的厚度；
步骤六：对步骤五减薄后的树脂晶圆中露出晶粒背面的那一面...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄平，鲍利华，顾海颖，
申请(专利权)人：上海朕芯微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31