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本发明公开了单晶粒减薄背面金属化方法,包括如下步骤:步骤一:把单晶粒用双面胶带粘在衬底晶圆上,晶粒的正面朝上;步骤二:做晶圆级塑封,将所有的晶粒包封在环氧树脂里面,这样制作出树脂晶圆;步骤三:树脂晶圆再用双面胶带粘在衬底晶圆上;步骤四:树脂...该专利属于上海朕芯微电子科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海朕芯微电子科技有限公司授权不得商用。
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本发明公开了单晶粒减薄背面金属化方法,包括如下步骤:步骤一:把单晶粒用双面胶带粘在衬底晶圆上,晶粒的正面朝上;步骤二:做晶圆级塑封,将所有的晶粒包封在环氧树脂里面,这样制作出树脂晶圆;步骤三:树脂晶圆再用双面胶带粘在衬底晶圆上;步骤四:树脂...