半导体工艺炉的电极机构和半导体工艺炉制造技术

本发明专利技术提供一种半导体工艺炉的电极机构和半导体工艺炉，半导体工艺炉的电极机构包括连接板、第一电极组件、第二电极组件、第一传导座、第二传导座和悬臂组件，其中，连接板与半导体工艺炉的炉门连接；悬臂组件穿过连接板及炉门向半导体工艺炉炉体的方向延伸；第一传导座、第二传导座设置在悬臂组件上，分别与半导体工艺炉的晶舟的两个端部可分离的电连接；第一电极组件穿设于悬臂组件内部，与第一传导座电连接；第二电极组组件穿过连接板及炉门与第二传导座电连接。本发明专利技术提供的半导体工艺炉的电极机构和半导体工艺炉，能够改善工艺结果，减少工艺时间，增加设备产能，降低加工成本。

Electrode mechanism of semiconductor process furnace and semiconductor process furnace

【技术实现步骤摘要】
半导体工艺炉的电极机构和半导体工艺炉
本专利技术涉及半导体设备
，具体地，涉及一种半导体工艺炉的电极机构和半导体工艺炉。
技术介绍
在晶硅电池的实际生产过程中，减反射膜和/或钝化膜的制备普遍采用等离子体增强化学气相沉积法(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，PECVD)来实现。在未来相当长的一段时间内，PECVD凭借其长久积累的工艺经验和较为优异的镀膜性能，管式PECVD仍将为整个晶硅太阳电池产业提供重要的保障。而射频系统是管式PECVD的重要组成部分，其放电方式对硅片的工艺结果起到至关重要的影响。目前，晶舟被推送装置送至炉内的反应室，并置于连接射频电极的位置，射频电极从炉尾处对插晶舟尾部上的电极孔，在射频电极与电极孔对插完成后，推送装置推送晶舟缓慢下降，并继续缓慢前进进入炉门，并直至悬臂门与炉口处法兰密封良好。放电方式为射频正负电极同时在晶舟尾部放电，电流在晶舟的硅片间从后向前传递。工艺结束后，将射频电极从晶舟尾部上的电极孔拔下，再将晶舟移出反应室。但是，由于射频电极对插在晶舟的尾部，电流从晶舟的尾部流向头部，这就造成晶舟中的硅片均匀性较差，钝化效果较差。并且，由于射频电极对插在晶舟上，当推送装置推送晶舟缓慢下降时，晶舟会下压电极，容易造成电极和晶舟之间对插不好，电极头出现烧毁的情况。并且，每次工艺进行装取晶舟时，都需要插拔电极，这会影响晶舟和电极的使用寿命，不利于工艺重复性，还会使得工艺时间较长，设备产能较低，加工成本较高。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种半导体工艺炉的电极机构和半导体工艺炉，其能够改善工艺结果，减少工艺时间，增加设备产能，降低加工成本。本专利技术提供了一种半导体工艺炉的电极机构，包括：连接板、第一电极组件、第二电极组件、第一传导座、第二传导座和悬臂组件，其中，所述连接板与所述半导体工艺炉的炉门连接；所述悬臂组件穿过所述连接板及所述炉门向所述半导体工艺炉炉体的方向延伸；所述第一传导座、第二传导座设置在所述悬臂组件上，分别与所述半导体工艺炉的晶舟的两个端部可分离的电连接；所述第一电极组件穿设于所述悬臂组件内部，与所述第一传导座电连接；所述第二电极组件穿过所述连接板及所述炉门与所述第二传导座电连接。优选的，所述悬臂组件包括悬臂管、支撑管、第一绝缘套筒、第二绝缘套筒、固定套筒，其中，所述悬臂管穿过所述连接板及所述炉门，所述支撑管与所述悬臂管轴向连接，并向所述炉体的方向延伸，所述第一电极组件穿设于所述悬臂管及所述支撑管中；所述固定套筒套设于所述悬臂管与所述支撑管的连接处；所述第一传导座设置在所述支撑管上，所述第一绝缘套筒套设于所述支撑管与所述第一传导座对应的部分处；所述第二传导座设置在所述支撑管上，所述第二绝缘套筒套设于所述支撑管与所述第二传导座对应的部分处。优选的，所述悬臂组件还包括第一绝缘密封部件，设置在所述悬臂管未与所述支撑管连接的一端处，所述第一电极组件穿过所述第一绝缘密封部件伸入所述悬臂管内，所述第一绝缘密封部件与所述悬臂管及所述第一电极组件密封连接。优选的，所述第一绝缘密封部件包括：绝缘套、绝缘法兰座、第一密封圈、第二密封圈和连接环体，其中，所述绝缘法兰座设置于所述悬臂管未与所述支撑管连接的一端处，所述绝缘法兰座包括主体部和卡台部，所述主体部伸入所述悬臂管中，所述卡台部卡设在所述悬臂管的端口处；所述绝缘套设置在所述绝缘法兰座远离所述悬臂管的一端处，并抵靠所述绝缘法兰座，所述绝缘套外侧壁上设置有第一卡台；所述第一密封圈设置在所述绝缘套与所述绝缘法兰座之间，所述第二密封圈设置在所述绝缘法兰座与悬臂管之间；所述连接环体套设在所述绝缘套及所述卡台部的外侧，其内侧壁上设置有与所述第一卡台配合的第二卡台，所述连接环体与所述悬臂管连接，以压紧所述绝缘套、所述绝缘法兰座、所述第一密封圈及所述第二密封圈；所述第一电极组件穿过所述绝缘套、所述绝缘法兰座伸入所述悬臂管内。优选的，所述悬臂组件还包括：第一绝缘挡环，设置在所述连接环体远离所述悬臂管的一端处。优选的，第一电极组件包括第一电极杆、套设于所述第一电极杆上的第一绝缘套管，其中，所述第一电极杆包括第一杆段和第二杆段，所述第一绝缘套管包括第一管段和第二管段，所述第一管段套设在所述第一杆段上，所述第二管段套设在所述第二杆段上；所述第一杆段和第二杆段互相连接；所述第一管段上设置有插入部，所述第二管段部分插入所述插入部，或者，所述第二管段上设置有插入部，所述第一管段部分插入所述插入部；所述第一电极组件还包括锁紧件，套设于所述插入部外侧，用于锁紧所述第一管段和所述第二管段的连接处。优选的，第二电极组件包括第二电极杆、套设于所述第二电极杆上的第二绝缘套管。优选的，还包括：电极连接板，设置在所述第一传导座远离所述炉门的一侧，所述第一电极组件通过所述电极连接板与所述第一传导座电连接。优选的，还包括：限位件，所述第一绝缘套筒、所述第二绝缘套筒上均设置所述限位件，所述限位件用于定位所述第一绝缘套筒、所述第二绝缘套筒，进而定位所述第一传导座和所述第二传导座。本专利技术还提供一种半导体工艺炉，包括如本专利技术提供的电极机构。本专利技术具有以下有益效果：本专利技术提供的半导体工艺炉的电极机构，通过与第一传导座电连接的第一电极组件，将电传导至第一传导座上，通过与第二传导座电连接的第二电极组件，将电传导至第二传导座上，在半导体加工工艺中，借助第一传导座和第二传导座，分别与半导体工艺炉的晶舟的两个端部电连接，使电能够分别从第一传导座和第二传导座传导至晶舟的两个端部，这样电流就会在晶舟的两个端部之间，从一个端部流向另个一端部，同时从另一个端部流向一个端部，从而能够提高晶舟中晶片在加工后的均匀性，以及钝化效果，进而能够改善工艺结果。并且，由于分别与第一电极组件和第二电极组件电连接的第一传导座和第二传导座均是设置在悬臂组件上的，因此，在晶舟的移动过程中，即，在晶舟移入半导体工艺炉体内，或者从半导体工艺炉体中移出时，并不需要插拔第一电极组件和第二电极组件，而且晶舟在移动的过程中，也不会对第一电极组件和第二电极组件造成挤压，从而能够提高晶舟、第一电极组件和第二电极组件的使用寿命，提高工艺重复性，进而减少工艺时间，增加设备产能，降低工艺成本。本专利技术提供的半导体工艺炉，借助本专利技术提供的半导体工艺炉的电极机构，能够改善工艺结果，减少工艺时间，增加设备产能，降低加工成本。附图说明图1为本专利技术实施例提供的半导体工艺炉的电极机构的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的半导体工艺炉的电极机构与晶舟的的相对位置示意图；图3为本专利技术实施例提供的半导体工艺炉的电极机构中第一绝缘密封部件的放大结构示意图；图4为图1中A区域的放大结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的半导体工艺炉的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体工艺炉的电极机构，其特征在于，包括：连接板、第一电极组件、第二电极组件、第一传导座、第二传导座和悬臂组件，其中，/n所述连接板与所述半导体工艺炉的炉门连接；/n所述悬臂组件穿过所述连接板及所述炉门向所述半导体工艺炉炉体的方向延伸；/n所述第一传导座、第二传导座设置在所述悬臂组件上，分别与所述半导体工艺炉的晶舟的两个端部可分离的电连接；/n所述第一电极组件穿设于所述悬臂组件内部，与所述第一传导座电连接；/n所述第二电极组件穿过所述连接板及所述炉门与所述第二传导座电连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺炉的电极机构，其特征在于，包括：连接板、第一电极组件、第二电极组件、第一传导座、第二传导座和悬臂组件，其中，
所述连接板与所述半导体工艺炉的炉门连接；
所述悬臂组件穿过所述连接板及所述炉门向所述半导体工艺炉炉体的方向延伸；
所述第一传导座、第二传导座设置在所述悬臂组件上，分别与所述半导体工艺炉的晶舟的两个端部可分离的电连接；
所述第一电极组件穿设于所述悬臂组件内部，与所述第一传导座电连接；
所述第二电极组件穿过所述连接板及所述炉门与所述第二传导座电连接。


2.根据权利要求1所述的电极机构，其特征在于，所述悬臂组件包括悬臂管、支撑管、第一绝缘套筒、第二绝缘套筒、固定套筒，其中，
所述悬臂管穿过所述连接板及所述炉门，所述支撑管与所述悬臂管轴向连接，并向所述炉体的方向延伸，所述第一电极组件穿设于所述悬臂管及所述支撑管中；
所述固定套筒套设于所述悬臂管与所述支撑管的连接处；
所述第一传导座设置在所述支撑管上，所述第一绝缘套筒套设于所述支撑管与所述第一传导座对应的部分处；
所述第二传导座设置在所述支撑管上，所述第二绝缘套筒套设于所述支撑管与所述第二传导座对应的部分处。


3.根据权利要求2所述的电极机构，其特征在于，所述悬臂组件还包括第一绝缘密封部件，设置在所述悬臂管未与所述支撑管连接的一端处，所述第一电极组件穿过所述第一绝缘密封部件伸入所述悬臂管内，所述第一绝缘密封部件与所述悬臂管及所述第一电极组件密封连接。


4.根据权利要求3所述的电极机构，其特征在于，所述第一绝缘密封部件包括：绝缘套、绝缘法兰座、第一密封圈、第二密封圈和连接环体，其中，
所述绝缘法兰座设置于所述悬臂管未与所述支撑管连接的一端处，所述绝缘法兰座包括主体部和卡台部，所述主体部伸入所述悬臂管中，所述卡台部卡设在所述悬臂管的端口处；
所述绝缘套设置在所述绝缘法兰座远离所述悬臂管的一端处，并抵靠所述绝缘法兰座，所述绝缘套外侧壁上设置有第一卡台；

【专利技术属性】
技术研发人员：闫志顺，赵福平，郑建宇，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11