本发明提供一种静电吸附部的控制方法和等离子体处理装置，提供一种能够适当地进行上部的电极板的温度调整的技术。用于使电极板吸附于在等离子体处理装置的上部设置的被进行了温度控制的板上,静电吸附部的控制方法包括以下工序：在通过等离子体处理装置生...

本发明提供一种改善因自由基或气体产生的静电吸附部的损耗的技术。本发明的等离子体处理装置的上部电极结构具备：电极板，形成有沿厚度方向贯穿的气体吐出孔；气板，将处理气体供应至气体吐出孔的气体流路形成为在与气体吐出孔相向的位置沿厚度方向延伸；...

本发明提供一种等离子体处理装置和环部件的位置偏离测量方法。载置台具有载置治具的第一载置面和载置环部件的第二载置面。获取部获取表示第二载置面与多个治具各自的相对部的间隔大小的间隔信息。测量部在治具分别载置于第一载置面的状态下使环部件上升，...

本发明提供一种抑制外周构件的消耗并且去除外周构件之上的沉积物的处理方法和等离子体处理装置。所述处理方法使用等离子体处理装置来对被处理体进行处理，所述等离子体处理装置具有：载置台，其在腔室内载置被处理体；外周构件，其配置于所述载置台的周围...

本发明提供一种防止在向外周构件施加了电压时针对被处理体的工艺特性下降的处理方法和等离子体处理装置。在所述处理方法中，使用等离子体处理装置对被处理体进行处理，所述等离子体处理装置具有：载置台，其在腔室内载置被处理体；外周构件，其配置于所述...

本发明提供一种检查装置，其一边使光入射到形成于被检查体的摄像器件，一边使接触端子与该摄像器件的布线层电接触，来检测该摄像器件，摄像器件是从背面入射光的部件，该背面是与设置有布线层的一侧相反的一侧的面，该检查装置包括：载置台，其能够以与摄...

本发明提供成膜装置，其加热载置台上的被处理基片并且对该被处理基片供给处理气体，对该被处理基片进行成膜处理，上述成膜装置包括：收纳部，其具有收纳上述载置台的内部空间，上述处理气体能够被供给到上述内部空间并且被感应加热；以上述载置台可旋转的...

本发明提供液供给装置和液供给方法。液供给装置对处理液释放部供给处理液，该处理液释放部向被处理体释放处理液，该液供给装置包括：与处理液释放部连接的供给管路；插入于供给管路的过滤处理液以除去异物的过滤器；和控制部，其构成为能够判断向过滤器的...

处理室系统包括被配置成将衬底固定在第一处理室内的衬底安装模块。该系统还包括被配置成将感光膜施加至衬底的正侧表面的第一沉积模块以及被配置成将膜层施加至衬底的背侧表面的第二沉积模块。正侧表面与衬底的背侧表面相反。衬底具有裸露的背侧表面，该裸...

本发明提供一种使用磷酸水溶液的蚀刻处理控制装置。该蚀刻处理控制装置具有：处理槽，其用于利用加热磷酸水溶液而得到的蚀刻液对基板进行蚀刻处理；处理液供给部，其向所述处理槽供给磷酸水溶液；处理液循环部，其使所述处理槽的内部的蚀刻液循环；处理液...

本发明提供一种能够在处理槽内形成适当的液流的基板处理装置。本公开的基板处理装置包括处理槽和流体供给部。处理槽通过使排列的多个基板浸渍于处理液而对该多个基板进行处理。流体供给部在处理槽的内部配置于比多个基板靠下方的位置，通过喷出流体从而在...

本发明提供一种处理装置。提供一种能够减少具有多个加工模块的处理装置的占用面积的技术。本公开的一方案的处理装置包括：处理部，其包含：多个加工模块，其在第1室相连地配置；以及装载模块，其配置于所述第1室，用于收容载体，该载体收纳利用所述多个...

本发明涉及处理装置。提供一种能够减少具有多个加工模块的处理装置的占用面积的技术。本公开的一技术方案的处理装置包括：多个加工模块，其相连地配置；以及装载模块，其用于收容载体，该载体收纳利用所述多个加工模块进行处理的基板，所述多个加工模块均...

本发明涉及将用于对基板进行加热处理的热板高效地冷却的热板的冷却方法和加热处理装置。在用于对基板进行加热处理的热板的冷却方法中，所述热板被划分为多个区域，能够通过加热机构针对每个该区域进行温度设定，在从多个制冷剂供给部向所述热板供给冷却介...

本发明涉及基板处理方法及基板处理装置。本发明的课题是提供能够改善针对多种材料暴露的基板的表面处理的选择性的技术。基于本公开的基板处理方法包括维持工序、供给工序、表面处理工序和去除工序。在维持工序中，将表面上暴露有金属即第一材料与第一材料...

本发明提供一种等离子体处理装置的载置台，其包括晶片载置面、环部件载置面、升降销和驱动机构。在晶片载置面载置晶片。环部件载置面用于载置具有第1卡合部的第1环部件和具有与第1卡合部卡合的第2卡合部的第2环部件，第2卡合部具有到达第1卡合部的...

本发明提供一种电感耦合等离子体处理装置。利用使用了金属窗而生成的电感耦合等离子体进行等离子体控制性更高且均匀性更高的等离子体处理。具备：处理容器；载置台，其载置矩形基板；矩形形状的金属窗，其构成处理容器的顶壁，与处理容器电绝缘；以及天线...

本发明提供一种能够调整基板的边缘附近的等离子体密度和基板的比边缘靠内侧的区域上的等离子体密度的等离子体处理装置。在一个实施方式的等离子体处理装置中，具备腔室和基板支承器。基板支承器具有下部电极和静电卡盘。基板支承器在腔室内支承被载置在静...

在示例性实施方式所涉及的等离子体处理装置中，高频电源产生为了生成等离子体而被供给的高频电力。偏置电源向基板支承器的下部电极供给偏置电力。偏置电力在该周期内使基板的电位变动。高频电力在基板的电位相对较高的周期内的第1期间内的至少一部分期间...

本发明涉及氮化膜的成膜方法及氮化膜的成膜装置。本发明的课题是提供在低温下能够形成氮化膜且能够减少形成有氮化膜的基底的损伤的技术。氮化膜的成膜方法多次重复包括如下工序的循环：将包含待氮化的元素的原料气体供给至基板，并在前述基板上形成包含前...