成膜装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供成膜装置，其加热载置台上的被处理基片并且对该被处理基片供给处理气体，对该被处理基片进行成膜处理，上述成膜装置包括：收纳部，其具有收纳上述载置台的内部空间，上述处理气体能够被供给到上述内部空间并且被感应加热；以上述载置台可旋转的方式支承该载置台的旋转轴部；和升降部，其为了在外部的上述被处理基片的输送装置与上述载置台之间交接上述被处理基片而使上述被处理基片升降，上述旋转轴部和/或上述升降部由热传导率在15W/m·K以下且熔点在1800℃以上的材料形成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】成膜装置
(相关申请的相互参考)本专利技术基于2017年12月13日在日本申请的专利技术2017-238854号，主张优先权，并将其内容援引在其中。本专利技术涉及对被处理基片进行成膜处理的成膜装置。
技术介绍
近年来，在半导体功率器件等电子器件中使用碳化硅(SiC)等化合物半导体。在制造这样的电子器件时，通过在单晶的基片生长具有与基片结晶相同的方位关系的膜的延伸生长，来形成SiC膜等化合物半导体膜。专利文献1中公开了一种技术，其中作为通过延伸生长而成的SiC膜的成膜装置，包括：用于载置作为被处理基片的SiC基片的载置台；以载置台可旋转的方式支承该载置台的旋转轴部；具有收纳载置台的内部空间的承载件(suscepter)。在该专利文献1的成膜装置中，一边通过对承载件进行感应加热来加热SiC基片，一边对承载件内的载置台上的SiC基片供给处理气体，由此在SiC基片上形成SiC膜。另外，在该专利文献1的成膜装置中，具有设置在上述承载件与载置台之间的隔热件，设置有该隔热件的隔热区域形成于俯视时的承载件内的包含上述轴部的中心区域与周缘本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种成膜装置，其加热载置台上的被处理基片并且对该被处理基片供给处理气体，对该被处理基片进行成膜处理，所述成膜装置的特征在于，包括：/n收纳部，其具有收纳所述载置台的内部空间，所述处理气体能够被供给到所述内部空间并且被感应加热；/n以所述载置台可旋转的方式支承该载置台的旋转轴部；和/n升降部，其为了在外部的所述被处理基片的输送装置与所述载置台之间交接所述被处理基片而使所述被处理基片升降，/n所述旋转轴部和/或所述升降部由热传导率在15W/m·K以下且熔点在1800℃以上的材料形成。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171213 JP 2017-2388541.一种成膜装置，其加热载置台上的被处理基片并且对该被处理基片供给处理气体，对该被处理基片进行成膜处理，所述成膜装置的特征在于，包括：
收纳部，其具有收纳所述载置台的内部空间，所述处理气体能够被供给到所述内部空间并且被感应加热；
以所述载置台可旋转的方式支承该载置台的旋转轴部；和
升降部，其为了在外部的所述被处理基片的输送装置与所述载置台之间交接所述被处理基片而使所述被处理基片升降，
所述旋转轴部和/或所述升降部由热传导率在15W/m·K以下且熔点在1800℃以上...

【专利技术属性】
技术研发人员：原岛正幸，中村充一，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP