基板处理方法及基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及基板处理方法及基板处理装置。本发明专利技术的课题是提供能够改善针对多种材料暴露的基板的表面处理的选择性的技术。基于本公开的基板处理方法包括维持工序、供给工序、表面处理工序和去除工序。在维持工序中，将表面上暴露有金属即第一材料与第一材料以外的材料即第二材料的基板的至少表面所接触的气氛维持在脱氧气氛。在供给工序中，在利用维持工序维持在脱氧气氛的状态下，对基板的表面供给针对第一材料及第二材料中的第一材料选择性地形成膜的膜形成材料。在表面处理工序中，在通过供给工序在第一材料的表面形成了膜的状态下，进行第二材料的表面处理。在去除工序中，在表面处理工序后，从第一材料的表面去除膜。

【技术实现步骤摘要】
基板处理方法及基板处理装置
本公开涉及基板处理方法及基板处理装置。
技术介绍
目前，在半导体晶圆等基板的表面上暴露有多种材料的情况下，选择性地处理任意的材料的技术是已知的(参见专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2013-251379号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本公开提供能够改善针对多种材料暴露的基板的表面处理的选择性的技术。用于解决问题的方案基于本公开的一个方式的基板处理方法包括维持工序、供给工序、表面处理工序和去除工序。在维持工序中，将表面上暴露有金属即第一材料与第一材料以外的材料即第二材料的基板的至少表面所接触的气氛维持在脱氧气氛。在供给工序中，在利用维持工序维持在脱氧气氛的状态下，对基板的表面供给针对第一材料及第二材料中的第一材料选择性地形成膜的膜形成材料。在表面处理工序中，在通过供给工序在第一材料的表面形成了膜的状态下，进行第二材料的表面处理。在去除工序中，在表面处理工序后，从第一材料的表面去除膜。专利技术的效果根据本公开，能够改善针对多种材料暴露的基板的表面处理的选择性。附图说明图1是表示实施方式的基板处理系统的构成的图。图2是表示实施方式的晶圆的构成的图。图3是表示关于实施方式的成膜处理的实验结果的图。图4是表示实施方式的基板处理装置的构成的图。图5是表示实施方式的基板处理系统执行的处理顺序的流程图。图6是表示实施方式的顶板及喷嘴的配置的例子的图。图7是表示成膜处理后的晶圆的一个例子的图。图8是表示蚀刻处理后的晶圆的一个例子的图。图9是表示膜去除处理后的晶圆的一个例子的图。图10是表示第一变形例的处理流体供给部的构成的图。图11是表示第二变形例的脱氧气氛维持部的构成的图。图12是表示第三变形例的脱氧气氛维持部的构成的图。图13是表示第四变形例的基板处理装置的构成的图。附图标记说明W晶圆P反应产物M1第一材料M2第二材料1基板处理系统14基板处理装置15控制部20腔室30基板保持机构40脱氧气氛维持部41顶板50处理流体供给部51喷嘴具体实施方式下面，参照附图对用于实施基于本公开的基板处理方法及基板处理装置的方式(以下记载为“实施方式”)详细地进行说明。需要说明的是，基于本公开的基板处理方法及基板处理装置并不受该实施方式限定。另外，在处理内容彼此不矛盾的范围内，各实施方式能够适当组合。另外，在以下的各实施方式中对相同的部位附上相同的符号，省略重复说明。另外，在以下进行参照的各附图中，为了使说明易于理解，有时示出正交坐标系：指定彼此正交的X轴方向、Y轴方向和Z轴方向，并将Z轴正方向设定为垂直向上的方向。＜1.基板处理系统的构成＞首先，对实施方式的基板处理系统的构成进行说明。图1是表示实施方式的基板处理系统的构成的图。另外，图2是表示实施方式的晶圆的构成的图。需要说明的是，以下叙述中，为了明确位置关系，指定彼此正交的X轴、Y轴和Z轴，并将Z轴正方向设定为垂直向上的方向。如图1所示，基板处理系统1具有搬入/搬出站2和处理站3。搬入/搬出站2与处理站3邻接而设置。搬入/搬出站2具有载具载置部11和运送部12。载具载置部11可载置能够将多片晶圆W以水平状态收容的多个运送容器(以下记载为“载具C”)。运送部12邻接于载具载置部11而设置。在运送部12的内部，设置有基板运送装置201和传递部202。基板运送装置201具有保持晶圆W的晶圆保持机构。另外，基板运送装置201能够向水平方向及垂直方向移动以及以垂直轴为中心进行旋转，使用晶圆保持机构在载具C与传递部202之间进行晶圆W的运送。处理站3邻接于运送部12而设置。处理站3具有运送部13和多个基板处理装置14。多个基板处理装置14并列设置在运送部13的两侧。运送部13的内部具有基板运送装置301。基板运送装置301具有保持晶圆W的晶圆保持机构。另外，基板运送装置301能够向水平方向及垂直方向移动以及以垂直轴为中心进行旋转，使用晶圆保持机构在传递部202与基板处理装置14之间进行晶圆W的运送。基板处理装置14对晶圆W进行湿蚀刻处理。湿蚀刻处理是为了去除例如由干蚀刻等而产生的反应产物而进行的。基板处理系统1具有控制装置4。控制装置4是控制基板处理系统1的动作的装置。所述控制装置4例如为计算机，具有控制部15和存储部16。存储部16中存储有控制蚀刻处理等各种处理的程序。控制部15通过读出并执行存储部16中所存储的程序来控制基板处理系统1的动作。控制部15例如为CPU(中央处理器，CentralProcessingUnit)或MPU(微处理器，MicroProcessorUnit)等，存储部16例如为ROM(只读存储器，ReadOnlyMemory)或RAM(随机存储器，RandomAccessMemory)等。需要说明的是，所述程序可以记录在计算机可读取的存储介质中，由该存储介质安装于控制装置4的存储部16中。作为计算机可读取的存储介质，例如有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。在如上所述构成的基板处理系统1中，首先，搬入/搬出站2的基板运送装置201从载具C中取出晶圆W，并将取出的晶圆W载置于传递部202。被载置于传递部202的晶圆W通过处理站3的基板运送装置301从传递部202中取出并搬入至基板处理装置14，通过基板处理装置14实施处理。处理后的晶圆W通过基板运送装置301从基板处理装置14中搬出并载置于传递部202后，通过基板运送装置201被送回到载具C中。＜2.关于基板处理＞如图2所示，实施方式的晶圆W为硅晶圆或化合物半导体晶圆等，表面暴露有第一材料M1与第二材料M2。第一材料M1例如为构成图案中的一个层的材料，由金属系材料构成。在实施方式中，第一材料M1为金、银、铜、铂、钯、铁、镍、锌、钴和钌中的任意一种金属。需要说明的是，第一材料M1也可以为含有金、银、铜、铂、钯、铁、镍、锌、钴和钌中的至少一种的合金。另外，第一材料M1除了包含上述金属系材料以外，还可以包含例如硅等非金属系材料。第二材料M2例如为构成图案中的一个层的材料，由非金属系材料构成。例如，第二材料M2为层间绝缘膜，由氧化硅膜、热氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜等硅系材料构成。需要说明的是，第二材料M2未必需要由非金属系材料构成。例如，第二材料M2也可以为金、银、铜、铂、钯、铁、镍、锌、钴和钌以外的金属。在所述晶圆W的表面附着有例如由干蚀刻等而产生的反应产物P。实施方式的基板处理装置14通过湿蚀刻处理(以下仅记载为“蚀刻处理”)去除反应产物P。如果将蚀刻反应产物P的蚀刻液供给至晶圆W的表面，则会本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理方法，其包括如下工序：/n维持工序，将表面上暴露有金属即第一材料与所述第一材料以外的材料即第二材料的基板的至少所述表面所接触的气氛维持在脱氧气氛；/n供给工序，在利用所述维持工序维持在所述脱氧气氛的状态下，对所述基板的表面供给针对所述第一材料及所述第二材料中的所述第一材料选择性地形成膜的膜形成材料；/n表面处理工序，在通过所述供给工序在所述第一材料的表面形成了所述膜的状态下，进行所述第二材料的表面处理；和，/n去除工序，在所述表面处理工序后，从所述第一材料的表面去除所述膜。/n

【技术特征摘要】
20190109 JP 2019-0015641.一种基板处理方法，其包括如下工序：
维持工序，将表面上暴露有金属即第一材料与所述第一材料以外的材料即第二材料的基板的至少所述表面所接触的气氛维持在脱氧气氛；
供给工序，在利用所述维持工序维持在所述脱氧气氛的状态下，对所述基板的表面供给针对所述第一材料及所述第二材料中的所述第一材料选择性地形成膜的膜形成材料；
表面处理工序，在通过所述供给工序在所述第一材料的表面形成了所述膜的状态下，进行所述第二材料的表面处理；和，
去除工序，在所述表面处理工序后，从所述第一材料的表面去除所述膜。


2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述金属包含金、银、铜、铂、钯、铁、镍、锌、钴和钌中的至少一种，
所述膜形成材料含有硫原子。


3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，所述膜形成材料含有硫原子，并且为经脱氧的液体或气体。


4.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，在所述供给工序前，包括如下氧化膜去除工序：在通过所述维持工序维持在所述脱氧气氛的状态下，从所述第一材料的表面去除氧化膜。


5.根据权利要求4所述的基板处理方法，其中，所述氧化膜去除工序包括：
供给经脱氧的药液的药液供给工序；和
供给经脱氧的冲洗液的冲洗工序。


6.根据权利要求4所述的基板处理方法，其中，在所述氧化膜去除工序前，包括如下有机物去除工序：从所述第一材料的表面去除有机物。


7.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述去除工序使用还原剂而从所述第一材料的表面去除所述膜。


8.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述去除工序通过对所述膜照射紫外线而从所述第一材料的表面去除所述膜。


9.根据权利要求7所述的基板处理方法，其中，在所述去除工序后，包括如下残渣去除工序：通过向所述第一材料的表面供给蚀刻液而去除残留在所述第一材料的表面的所述膜。


10.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述供给工序在对所述基板的表面及所述膜形成材料的至少一者进行加热了的状态下进行。

【专利技术属性】
技术研发人员：广城幸吉，樋口伦太郎，香川兴司，关口贤治，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP