基板处理方法及基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及基板处理方法及基板处理装置。本发明专利技术的课题是提供能够改善针对多种材料暴露的基板的表面处理的选择性的技术。基于本公开的基板处理方法包括维持工序、供给工序、表面处理工序和去除工序。在维持工序中，将表面上暴露有金属即第一材料与第一材料以外的材料即第二材料的基板的至少表面所接触的气氛维持在脱氧气氛。在供给工序中，在利用维持工序维持在脱氧气氛的状态下，对基板的表面供给针对第一材料及第二材料中的第一材料选择性地形成膜的膜形成材料。在表面处理工序中，在通过供给工序在第一材料的表面形成了膜的状态下，进行第二材料的表面处理。在去除工序中，在表面处理工序后，从第一材料的表面去除膜。

【技术实现步骤摘要】
基板处理方法及基板处理装置
本公开涉及基板处理方法及基板处理装置。
技术介绍
目前，在半导体晶圆等基板的表面上暴露有多种材料的情况下，选择性地处理任意的材料的技术是已知的(参见专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2013-251379号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本公开提供能够改善针对多种材料暴露的基板的表面处理的选择性的技术。用于解决问题的方案基于本公开的一个方式的基板处理方法包括维持工序、供给工序、表面处理工序和去除工序。在维持工序中，将表面上暴露有金属即第一材料与第一材料以外的材料即第二材料的基板的至少表面所接触的气氛维持在脱氧气氛。在供给工序中，在利用维持工序维持在脱氧气氛的状态下，对基板的表面供给针对第一材料及第二材料中的第一材料选择性地形成膜的膜形成材料。在表面处理工序中，在通过供给工序在第一材料的表面形成了膜的状态下，进行第二材料的表面处理。在去除工序中，在表面处理工序后，从第一材料的表面去除膜。专利技术的效果本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理方法，其包括如下工序：/n维持工序，将表面上暴露有金属即第一材料与所述第一材料以外的材料即第二材料的基板的至少所述表面所接触的气氛维持在脱氧气氛；/n供给工序，在利用所述维持工序维持在所述脱氧气氛的状态下，对所述基板的表面供给针对所述第一材料及所述第二材料中的所述第一材料选择性地形成膜的膜形成材料；/n表面处理工序，在通过所述供给工序在所述第一材料的表面形成了所述膜的状态下，进行所述第二材料的表面处理；和，/n去除工序，在所述表面处理工序后，从所述第一材料的表面去除所述膜。/n

【技术特征摘要】
20190109 JP 2019-0015641.一种基板处理方法，其包括如下工序：
维持工序，将表面上暴露有金属即第一材料与所述第一材料以外的材料即第二材料的基板的至少所述表面所接触的气氛维持在脱氧气氛；
供给工序，在利用所述维持工序维持在所述脱氧气氛的状态下，对所述基板的表面供给针对所述第一材料及所述第二材料中的所述第一材料选择性地形成膜的膜形成材料；
表面处理工序，在通过所述供给工序在所述第一材料的表面形成了所述膜的状态下，进行所述第二材料的表面处理；和，
去除工序，在所述表面处理工序后，从所述第一材料的表面去除所述膜。


2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述金属包含金、银、铜、铂、钯、铁、镍、锌、钴和钌中的至少一种，
所述膜形成材料含有硫原子。


3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，所述膜形成材料含有硫原子，并且为经脱氧的液体或气体。


4.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，在所述供给工序前，包括如下氧化膜去除工序：在通过所述维持工序维持在所述脱氧气氛的状态下，从所述第一材料的表面去除氧化膜。


5.根据权利要求4所述的基板处理方法，其中，所述氧化膜去除工序包括：
供给经脱氧的药液的药液供给工序；和
供给经脱氧的冲洗液的冲洗工序。


6.根据权利要求4所述的基板处理方法，其中，在所述氧化膜去除工序前，包括如下有机物去除工序：从所述第一材料的表面去除有机物。


7.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述去除工序使用还原剂而从所述第一材料的表面去除所述膜。


8.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述去除工序通过对所述膜照射紫外线而从所述第一材料的表面去除所述膜。


9.根据权利要求7所述的基板处理方法，其中，在所述去除工序后，包括如下残渣去除工序：通过向所述第一材料的表面供给蚀刻液而去除残留在所述第一材料的表面的所述膜。


10.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述供给工序在对所述基板的表面及所述膜形成材料的至少一者进行加热了的状态下进行。

【专利技术属性】
技术研发人员：广城幸吉，樋口伦太郎，香川兴司，关口贤治，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP