【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置和环部件的位置偏离测量方法
本专利技术涉及等离子体处理装置和环部件的位置偏离测量方法。
技术介绍
一直以来，已知一种等离子体处理装置，其使用等离子体对半导体晶片(以下也称为“晶片”)等被处理体进行蚀刻等的等离子体处理。该等离子体处理装置在进行等离子体处理时会消耗腔室内的部件。例如，为了使等离子体均匀化而设置于晶片的外周部的聚焦环等的环部件有时也靠近等离子体，消耗速度较快。环部件的消耗程度对晶片上的工艺结果有较大影响。例如，当环部件上的等离子体鞘与晶片上的等离子体鞘的高度位置产生偏离时，晶片的外周附近的蚀刻特性会降低，影响均匀性等。因此，在等离子体处理装置中，当环部件消耗一定程度时进行环部件的更换。此外，还提出了根据消耗的程度而通过驱动机构来使环部件上升以将晶片与环部件的高度保持为一定的技术。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2002-176030号公报。专利文献2：日本特开2016-146472号公报。
技术实现思路
专利技术要解决的技...
【技术保护点】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：/n载置台，其具有用于依次载置多个治具的第一载置面和用于载置环部件的第二载置面，所述环部件配置在被处理体的周围，所述多个治具是用于所述环部件的形状测量的治具，分别具有与所述环部件的上表面相对的相对部，所述多个治具的所述相对部在所述环部件的径向上的位置彼此不同；/n升降机构，其分别设置于所述环部件的周向上的多个位置，使所述环部件相对于所述第二载置面升降；/n获取间隔信息的获取部，所述间隔信息表示所述第二载置面与载置于所述第一载置面的所述多个治具各自的所述相对部的间隔大小；/n测量部，其在所述多个治具分别载置于所述第一载置面的状态下，...
【技术特征摘要】
20190117 JP 2019-0060341.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
载置台，其具有用于依次载置多个治具的第一载置面和用于载置环部件的第二载置面，所述环部件配置在被处理体的周围，所述多个治具是用于所述环部件的形状测量的治具，分别具有与所述环部件的上表面相对的相对部，所述多个治具的所述相对部在所述环部件的径向上的位置彼此不同；
升降机构，其分别设置于所述环部件的周向上的多个位置，使所述环部件相对于所述第二载置面升降；
获取间隔信息的获取部，所述间隔信息表示所述第二载置面与载置于所述第一载置面的所述多个治具各自的所述相对部的间隔大小；
测量部，其在所述多个治具分别载置于所述第一载置面的状态下，利用所述升降机构使所述环部件上升，在所述环部件的上表面与所述相对部接触的情况下，对于所述环部件的周向上的多个位置中的每个位置，测量从所述第二载置面起的所述环部件的上升距离；
厚度计算部，其基于由获取的所述间隔信息表示的所述间隔大小和测量出的所述环部件的上升距离，对于所述环部件的周向上的多个位置中的每个位置，计算在所述环部件的径向上的多个位置中的每个位置的所述环部件的厚度；和
位置偏离计算部，其基于计算出的所述环部件的厚度，对于所述环部件的周向上的多个位置中的每个位置，确定所述环部件的形状带有特征的特征位置，计算通过该特征位置的圆的中心位置与所述第一载置面的中心位置的偏离量。
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
还包括基于计算出的所述偏离量来校正所述环部件的位置的位置偏离校正部。
3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述间隔大小是基于所述第二载置面与所述第一载置面之间的距离以及所述第一载置面与载置于所述第一载置面的所述多个治具各自的所述相对部之间的距离来预先确定的。
4.如权利要求1～3中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
在所述载置台设置有能够吸附依次载置在所述第一载置面上的所述多个治具中的每个治具的静电吸盘，
所述测量部在依次载置在所述第一载置面上的所述多个治具中的每个治具被所述静电吸盘吸附的状态下，利用所述升降机构使所述环部件上升。
5.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
载置台，其具有用于载置治具的第一载置面和用于载置环部件的第二载置面，所述环部件配置在被处理体的周围，所述治具是用于所述环部件的形状测量的治具，具有与所述环部件的上表面相对的相对部，在所述相对部沿着所述环部件的径向设置有可在上下方向移动的多个探针，
升降机构，其分别设置于所述环部件的周向上的多个位置，使所述环部件相对于所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：尾形敦，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。